祁慧
,
高勇
,
余宁梅
,
马丽
,
安涛
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.04.015
提出了在SiGe/Si异质结开关功率二极管的本征i区中采用掺杂浓度三层渐变式结构.由Medici模拟所得的特性曲线表明,该结构在正向I-V特性基本不发生改变的前提下,与i区固定掺杂结构相比具有更好的反向恢复电流与反向恢复电压特性,尤其软恢复特性更加明显,反向恢复过程加快.还对渐变掺杂所得到的优越性能进行了分析,从理论上给出了较好的解释.
关键词:
SiGe/Si异质结
,
PIN二极管
,
渐变掺杂
,
Medici
,
软恢复
