薛成山
,
郭永福
,
石锋
,
庄惠照
,
刘文军
,
曹玉萍
,
孙海波
功能材料
利用金属元素钯作催化剂,采用磁控溅射后氨化法,成功的在Sapphire衬底上制备出GaN纳米线.X射线衍射和X射线光电子能谱研究显示合成的纳米线具有六方纤锌矿GaN结构.通过扫描电子显微镜,透射电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察分析得出GaN纳米线为单晶结构,其纳米线的直径约为10～60nm,长度达几十个微米.室温下以325nm波长的光激发样品表面,发现GaN带边发光峰有较弱的蓝移.最后简单讨论了GaN纳米线的生长机制.
关键词:
纳米线
,
GaN
,
磁控溅射
,
单晶
,
钯催化
石锋
人工晶体学报
本文采用传统的固相陶瓷烧结工艺,利用Ni2+取代Ba(Zn1/3Nb2/3)O3 的B位Zn2+形成固溶体来研究其微观结构.XRD表明,系统的主晶相为立方钙钛矿的BZNN,并有少量第二相如Ba5Nb4O15、BaNb2O6等存在.随Ni2+含量增加,系统晶格常数a减小;而随烧结温度升高,a逐渐增大.系统在1500 ℃下烧结时为固相烧结;当烧结温度为1550 ℃时,系统由固相烧结转变为液相烧结.较低温度下烧结时,在低角度区有很微弱的1∶ 2有序相产生;烧结温度升高,无序相增加,有序相消失.
关键词:
Ba(Zn1/3Nb2/3)O3
,
固溶体
,
微观结构
,
有序相
孙海波
,
石锋
,
曹玉萍
,
薛成山
,
修显武
功能材料
在Au点阵模板上磁控溅射ZnO薄膜,然后在O_2气氛下1000℃退火制备了ZnO单晶堆垒纳米棒.采用扫描电子显微镜(SEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、X射线衍射(XRD)和傅立叶变换红外(FTIR)光谱对样品进行分析.结果表明,ZnO纳米棒是由诸多单晶堆垒而成,每个单晶均为六方纤锌矿结构,纳米棒直径在100nm左右.初步探讨了ZnO单晶堆垒纳米棒可能的生长机理.
关键词:
氧化锌
,
单晶堆垒
,
纳米棒
石锋
人工晶体学报
采用传统的固相陶瓷烧结工艺,利用四价正离子Sn4+、Zr4+取代Ba(Zn1/3Nb2/3)O3陶瓷的B位Zn2+、Nb5+,研究其对Ba(Zn1/3Nb2/3)O3系统微观结构的影响.四价Sn4+、Zr4+取代B位Zn2+、Nb5+可以形成固溶体,系统的主晶相仍为立方相.系统晶格常数a随着Sn4+取代量的增加而呈线性增大,相同Sn4+取代量下随着烧结温度的增加,晶格常数a增大.BaZrO3(BZ)的加入可减少第二相的生成.Sn4+、Zr4+均可改善系统烧结特性,加快致密化形成.
关键词:
B位离子
,
微观结构
,
烧结特性
石锋
,
钱端芬
,
吴顺华
,
王国庆
材料导报
SiCp/Al复合材料的断裂韧性及抗弯强度等机械性能与SiCp/Al系统的界面状况密切相关.研究了二者之间的关系,指出:复合材料的机械性能受界面反应及界面处Si元素的富集两种作用综合的影响;界面反应的影响较大,是决定复合材料机械性能的主导因素,而Si元素富集则居次要地位,不起主导作用.
关键词:
机械性能
,
界面状况
,
界面反应
,
Si元素富集
石锋
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.03.003
采用传统的固相烧结法制备Ba(Zn1/3Nb2/3)O3(BZN)和(1-x)Ba(Zn1/3Nb2/3)O3-xSr(Zn1/3Nb2/3)O3(BSZN)陶瓷,研究MnCO3和BaZrO3添加剂对其烧结温度和介电性能的影响.研究表明二者均是很好的助熔剂,在烧结过程中形成液相促进原子扩散从而降低烧结温度,本研究中的最佳烧结温度为1260℃(5#样品).MnCO3和BaZrO3对于改善系统的介电性能均有较好的效果,合理调整添加剂的用量可以有效的改善介电性能.0.35BZN-0.65SZN-1%MnCO3样品的介电性能最佳且烧结温度低于1300℃.
关键词:
碳酸锰
,
锆酸钡
,
烧结温度
,
介电性能
,
铌锌酸钡
吴保才
,
石锋
,
程新宇
,
张洪希
,
刘春明
材料热处理学报
在实验室条件下模拟罩式退火,运用金相显微镜、扫描电镜、微型控制电子万能实验机和X射线衍射仪研究了08Al冷轧深冲用钢不同退火温度（610～700℃）对其显微组织、力学性能和再结晶织构的影响。结果表明：在实验退火温度下,冷轧板在690℃的组织和综合力学性能最优,{111}〈UVW〉织构组分的百分含量最高,{111}〈UVW〉/{001}〈110〉的比值最大,所以在690℃08Al钢可获得最优的深冲性能。实验用钢在700℃退火组织中出现了大晶粒和对深冲性能有害的半网状和网状渗碳体,因此退火温度应该控制在700℃以下。
关键词:
08Al
,
退火温度
,
组织
,
力学性能
,
织构
曹玉萍
,
薛成山
,
石锋
,
孙海波
,
刘文军
,
郭永福
功能材料
利用磁控溅射技术在Si衬底上沉积Ga_2O_3/Co薄膜,然后在不同氨气流量下于950℃退火15min.采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、傅立叶红外吸收(FTIR)光谱、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和光致发光谱(PL)对样品进行了分析表征.结果表明,氨气流量对GaN纳米线的生长及性能有很大影响.简单讨论了GaN纳米线的生长机理.
关键词:
GaN
,
纳米线
,
氨气流量
,
溅射
,
生长机制
