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Mn含量对Ba(Ti0.7-xMnxFe0.3)O3陶瓷的磁性能及交换机制的影响

林方婷 , 石旺舟

人工晶体学报

通过固相反应法制备Ba(Ti0.7-xMnxFe0.3)O3(0.05≤ x≤0.2)陶瓷,并利用X射线衍射、穆斯堡尔谱和振动样品磁强计研究其微结构、磁性能及交换机制随Mn含量的变化规律.结果表明:所有样品都具有6H-BaTiO3型六方钙钛矿单相结构.在Mn含量较低时,分布在四面体Ti位和八面体Ti位上的Fe3+间的超交换相互作用使样品表现出顺磁性;随着Mn含量的增加,除了Mn7+外还出现了Mn4+,Mn4+-O2--Fe3+ 铁磁超交换机制使样品逐渐转变为室温铁磁性.与相同Fe含量及制备条件下的Ba(Ti0.7Fe0.3)O3相比,Mn的共掺杂可使饱和磁化强度提高近19倍.

关键词: Mn/Fe共掺杂BaTiO3 , 磁性 , 交换机制 , 穆斯堡尔谱

以高性价比颗粒硅带为衬底多晶硅薄膜的二次引铝低温制备法

邱春文 , 石旺舟 , 王晓晶 , 周燕

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.04.016

本文报道了在廉价的颗粒硅带上用PECVD法并两次引入铝的工艺制备多晶硅薄膜.第一次引入铝是为了去除薄膜上过多的杂质;第二次引入铝是为了实现低温诱导结晶.通过对薄膜样品的拉曼谱和X射线衍射(XRD)谱分析,我们认为金属低温诱导结晶成功与否跟诱导前薄膜的结构密切相关.采用该工艺成功地制备了结晶度92%左右、可应用于太阳能电池的高纯优质多晶硅薄膜.

关键词: 多晶硅带衬底 , 多晶硅薄膜 , 等离子体化学气相沉积法 , 二次引铝 , 低温制备

SiH4射频放电功率耗散机制的光发射研究

石旺舟 , 黄翀 , 姚若河 , 林揆训 , 林璇英

功能材料

采用OMA-4000测量了SiH4射频辉光放电等离子体的光发射谱,研究了其谱线强度随放电射频功率和反应气体流量间的变化关系.发现在放电射频功率增加和反应气体流量升高的过程中,其等离子体状态分别发生性质不同的转变,这种转变联系到射频功率耗散机制的变化.当反应气体流量增加时,电子获得能量的机制由阴极暗区加速转变为等离子体内电场的加热效应;而在放电功率升高的过程中,离子轰击阴极产生二次电子发射效应导致了光发射谱强度急剧增强的转变.

关键词: SiH , 射频辉光放电 , 功率耗散 , 光发射谱

在Si(100)上以AlN作过渡层低温外延生长ZnO薄膜

孙林林 , 刘宏玉 , 程文娟 , 马学鸣 , 石旺舟

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.031

采用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si(100)上成功生长了高度c轴取向的AlN薄膜,并以此为衬底,实现了ZnO薄膜的低温准外延生长.通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)以及荧光分光光度计表征ZnO薄膜的结构、表面形貌和发光性能.结果表明,ZnO薄膜能在AlN过渡层上沿c轴准外延生长,采用AlN过渡层后,其荧光强度也有大幅提高.

关键词: 氧化锌薄膜 , 外延生长 , 过渡层 , 光致发光

纳米GaAs-SiO2镶嵌复合薄膜的发光特性

石旺舟 , 梁厚蕴

功能材料

关键词:

纳米GaAs-SiO_2镶嵌复合薄膜的制备

石旺舟 , 林揆训 , 林璇英

材料研究学报

采用射频磁控共溅射法制备了纳米GaAs-SiO2镶嵌复合薄膜.通过X射线衍射、透射电镜和X射线光电子能谱等手段研究了薄膜的结构及其与沉积时基片温度间的关系.结果表明:薄膜由晶态的GaAs及非晶SiO2组成,GaAs在沉积过程中未明显氧化,且以纳米颗位形式均匀地弥散在SiO2中;GaAs的平均粒径依赖于沉积时的基片温度获得了GaAs的平均位径为3～10nm的GaAs-SiO2镶嵌复合薄膜

关键词: 薄膜制备 , composite thin film , preparation

PECVD法低温沉积多晶硅薄膜的研究

邱春文 , 石旺舟 , 黄羽中

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2003.03.011

在玻璃衬底上采用常规的PECVD法在低温(≤400℃)条件下制得大颗粒(直径>100nm)、择优取向(220)明显的多晶硅薄膜.选用的反应气体为SiF4和H2混合气体.加入少量的SiH4后,沉积速率提高了近10倍.分析认为,在低温时促使多晶硅结构形成的反应基元应是SiFm Hn(m+n≤3),而不可能是SiHn(n≤3)基团.

关键词: PECVD法 , 多晶硅薄膜 , 低温制备