陈绪煌
,
龙鹏
,
黄碧伟
,
石彪
高分子材料科学与工程
在聚合物共混体系中，界面张力对聚合物相容性有着重要影响，决定着相与相之间的粘接性，成为控制其最终相态结构的一个重要因素，是研究多相聚合物相态结构的基础。文中综述了聚合物熔体界面张力的测定方法，这些测定方法主要有热力学方法、流变学方法以及动力学方法三大类；介绍了每种方法的基本原理，并对其优缺点及适用范围进行了简单说明。其中，动力学方法是使用最多、相对准确的，对该方法进行了重点介绍，并且讨论了动力学方法中熔体粘弹性对界面张力测定的影响。
关键词:
界面张力
,
热力学方法
,
动力学方法
,
流变学方法
石彪
,
朱明星
,
陈义
,
刘学超
,
杨建华
,
施尔畏
硅酸盐通报
3C-SiC薄膜的外延生长一直是SiC材料制备领域的一个热点,单晶Si衬底异质外延3C-SiC是实现大尺寸、低成本薄膜的有效方法,备受人们关注.单晶Si与3C-SiC之间存在较大的晶格失配(20％)和热膨胀系数差异(8％),严重制约着高质量单晶薄膜的制备.本文对单晶Si衬底异质外延3C-SiC薄膜的基本原理和工艺过程进行了总结,着重介绍了薄膜生长中的缺陷和可控掺杂方面的研究进展以及面临的挑战,并对今后的研究热点做了归纳展望.
关键词:
3C-SiC
,
化学气相沉积
,
异质外延
,
缺陷
石彪
,
刘学超
,
周仁伟
,
杨建华
,
郑燕青
,
施尔畏
人工晶体学报
本文以Si(100)为衬底,利用水平式常压冷壁化学气相沉积(APCVD)系统在不同温度(1100～1250℃)下制备的“缓冲层”上生长了3C-SiC薄膜.结果表明,薄膜为外延生长的单一3C-SiC多型,薄膜表面呈现“镶嵌”结构特征,Si/3C-SiC界面平整无孔洞.碳化温度对薄膜的结晶质量和表面粗糙度有显著的影响,当碳化温度低于或高于1200℃时,薄膜的结晶质量有所降低,且随着碳化温度的升高,薄膜表面粗糙度呈现增大的趋势.当在1200℃下制备的“缓冲层”上生长薄膜时,可以获得最优质量的3C-SiC外延膜,其(200)晶面摇摆曲线半峰宽约为0.34°,表面粗糙度约为5.2nm.
关键词:
3C-SiC
,
碳化
,
结晶质量
,
缓冲层
袁颂东
,
曹小艳
,
王小波
,
石彪
,
汪金方
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2009.10.003
TiO2纳米带作为一种纳米光催化剂用于污水处理中时,能克服TiO2纳米颗粒不易分离同收等困难,对其进行贵金属掺杂,可提高其光催化活性.本研究以价格低廉的钛白粉为原料,采用水热法制备了掺银的TiO2纳米带,并运用XRD,SEM和EDS等对所制备的样品进行表征,进行了光催化降解甲基橙反应,考察了纳米带中的掺银量,煅烧温度等条件对降解甲基橙反应的影响.结果表明,当TiO2纳米带掺银量为0.1%(质量分数,下同),焙烧温度为700℃,催化剂用量为0.05g,室温下用15W紫外灯光照180min时,掺银的TiO2纳米带对甲基橙的降解率可达98.51%,较掺杂前提高了22%左右.
关键词:
银掺杂
,
TiO2纳米带
,
光催化降解
朱明星
,
石彪
,
陈义
,
刘学超
,
施尔畏
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.11577
研究了生长温度为1400℃时4H-SiC同质外延膜的生长速率、表面形貌及缺陷.拉曼表征并结合KOH腐蚀表明外延膜中未出现3C-SiC多晶,为单一的4H-SiC晶型.通过KOH腐蚀发现,低生长速率和高C/Si比有利于衬底表面的基平面位错(BPDs)转变成露头刃位错(TEDs).在高生长速率下,外延膜的表面三角形缺陷和位错密度会显著增加.通过引入界面层,可以实现生长初期的平滑过渡,极大地降低高生长速率下外延膜的缺陷密度.
关键词:
碳化硅
,
同质外延
,
结晶缺陷
,
表面形貌缺陷
