孙振国
,
瞿晓剑
,
初善科
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2006.05.015
为在价电子结构层次分析和研究A1型与A2型结构滑移面问题,以"固体与分子经验电子理论"为指导,计算了A1型与A2型结构的低指数晶面的价电子结构,提出了表征晶体沿晶面发生滑移难易的价电子结构参数F及其计算方法.研究结果表明,在A1型结构中,{111}面的F值最小,在A2型结构中,{110}面的F值最小,并以此解释了A1型与A2型结构滑移面分别为{111}与{110}这一金属学问题,从而把滑移面的本质追溯到金属平面的价电子结构上.
关键词:
A1型结构
,
A2型结构
,
滑移面
,
价电子结构
孙振国
,
瞿晓剑
,
顾琳
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2005.05.008
为在价电子结构层次研究代位固溶体与间隙固溶体强化差异的本质,建立了代位固溶体含溶质晶胞点阵常数的计算公式,以余(瑞璜)氏固体与分子经验电子理论为基础,按BLD(键距差分析方法)分析方法计算了代位固溶体含溶质晶胞的价电子结构.结果表明:代位固溶体中含溶质原子晶胞的nA值与不含溶质原子晶胞的nA值相差无几,而间隙固溶体中含溶质原子晶胞的nA值远高于不含溶质原子晶胞的nA值.这-信息从价电子结构的角度深刻揭示了两种固溶体强化程度存有严重差异的本质,从而把固溶体强化的机制追溯到固溶体的价电子结构.
关键词:
固溶体
,
价电子结构
,
固溶强化
