瞿全炎
,
曾德长
,
史新伟
,
刘正义
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2008.04.009
采用弯曲磁过滤真空阴极放电弧离子镀法制备高质量TiN薄膜.用场致发射电子扫描显微镜观察薄膜表面与截面形貌.分析弯曲磁过滤对膜表面质量与晶粒尺寸、膜基结合形态的影响.磁过滤能有效减少大颗粒数量,减小大颗粒尺寸.形成光滑的TiN薄膜表面,细化TiN晶粒,形成结合紧密的膜基结构.
关键词:
TiN薄膜
,
弯曲磁过滤
,
薄膜质量
,
粗大柱状晶
,
细小柱状晶
黄元盛
,
刘正义
,
瞿全炎
,
丘万奇
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2001.04.009
用直流等离子喷射法,以甲烷、氢和氩气的混合气体为原料,在钼基体上合成了较高质量的CVD金刚石薄膜.对该薄膜的生长面及其背面的晶粒尺寸进行了研究,指出其-般规律,进一步探讨了CVD金刚石薄膜的晶粒尺寸对其热导率的影响规律.
关键词:
金刚石
,
薄膜
,
晶粒尺寸
,
热导率
瞿全炎
,
邱万奇
,
曾德长
,
钟喜春
,
刘正义
材料科学与工艺
为研究弯曲磁过滤弧离子镀工艺的磁过滤电流变化对薄膜质量的影响,用弯曲磁过滤弧离子镀工艺在3.0～4.5 A内变化磁过滤电流制备了TiN薄膜样品,用扫描电子显微镜观察了薄膜表面与截面形貌,用X射线衍射研究了薄膜的组织结构,从等离子体角度分析了磁过滤电流对薄膜表面质量、结晶质量等薄膜质量及生长速率的影响.结果表明,引入磁过滤后,因去除大颗粒的结果使薄膜表面均很光滑,且表面大颗粒的尺寸与磁过滤电流的大小关系不大.当磁过滤电流为4.0 A时,TiN薄膜结晶良好、膜基结合紧密,生长速率达到最大的1.1 μm/h,且具有很强的[200]择优取向.在4.OA磁过滤电流下制备的TiN薄膜所呈现的质量特性是由于此电流下等离子体密度与能量高、基体的位置又正好处于聚集的等离子体区域中心.
关键词:
弯曲磁过滤电流
,
TiN膜质量
,
等离子体
