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BJMOSFET 静态特性的解析模型及模拟分析

金湘亮 , 曾云 , 颜永红 , 成世明 , 龚磊 , 盛霞 , 樊卫

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.02.012

建立了新型半导体功率器件—双极型压控晶体管( BJMOSFET)的直流解析模型,通过提取模 型参数,运用电路模拟软件 PSPICE的多瞬态分析法对 BJMOSFET的直流特性进行了模拟,分析得 出这种新型器件在相同结构参数和同等外界条件下与传统 MOSFET相比,电流密度提高 30%~ 40%。

关键词: BJMOSFET , 静态特性 , PSPICE , 模拟

Bi3+共掺和能量传递对BaY2Si3O10∶Eu3+发光的调制和增强

崔跃鹏 , 胡正发 , 叶定华 , 张伟 , 盛霞 , 罗莉 , 王银海

连铸 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2014.06.001

荧光粉BaY2Si3O10∶ Bi3+,Eu3+经高温固相法制备并由X-ray衍射谱仪分析其物相结构.实验结果显示Bi3+共掺下BaY2 Si3O 10:Eu3+的激发光谱呈现一个有明显增强的宽电荷转移带(CTB)和系列Eu3+的f-f窄吸收峰,发射谱为Eu3+的5D0-7FJ橙-红光发射.当用285 nm紫外光激发时,Bi3+到Eu3+间存在有效的能量传递,导致Bi3+的宽带紫外发射(中心345 nm)强度减弱,而Eu3+的橙-红光发射显著增强;随着Eu3+浓度的增加,能量传递效率也随之提高.最佳Eu3+浓度为0.4摩尔百分比,此后荧光粉发射强度发生浓度猝灭.结果表明Bi3+共掺时明显改善和提升荧光粉在电荷转移带(200~350 nm)的激发效率. Bi3+到Eu3+间主要的能量传递机制是通过四极-四极相互作用实现,并且能量传递的临界作用距离是1.604 nm.

关键词: 材料 , 荧光粉 , 高温固相法 , Bi3+,Eu3+共掺 , BaY2Si3O10

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