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Zn_0.9Mg_0.1O:Ga宽带隙导电膜的 PLD制备及性能研究

陈志强 , 方国家 , 李春 , 盛苏 , 赵兴中

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2006.00707

利用脉冲激光沉积法(PLD)制备了Ga掺杂的Zn_0.9Mg_0.1O(ZMO:Ga)宽带隙透明导电薄膜. 采用各种分析手段研究了沉积温度和真空退火处理对薄膜结构、表面形貌及光电性能的影响. 结果表明, 制备的薄膜具有ZnO(002)择优取向; 200℃下沉积的薄膜通过3×10-3Pa的真空400℃退火2h后, 其电阻率由8.12×10^-4Ω·cm减小到4.74×10^-4Ω·cm, 禁带宽度则由原来的3.83eV增加到3.90eV. 退火处理增强了薄膜的择优取向和结晶度、增加了禁带宽度、提高了载流子浓度并使其透射谱线的光学吸收边发生蓝移现象.

关键词: ZnMgO:Ga膜 , pulsed laser deposition (PLD) , substrate temperature , vacuum annealing

Zn0.9Mg0.1O:Ga宽带隙导电膜的PLD制备及性能研究

陈志强 , 方国家 , 李春 , 盛苏 , 赵兴中

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2006.03.031

利用脉冲激光沉积法(PLD)制备了Ga掺杂的Zn0.9Mg0.1O(ZMO:Ga)宽带隙透明导电薄膜.采用各种分析手段研究了沉积温度和真空退火处理对薄膜结构、表面形貌及光电性能的影响.结果表明,制备的薄膜具有ZnO(002)择优取向;200℃下沉积的薄膜通过3×10-3Pa的真空400℃退火2h后,其电阻率由8.12×10-4Ω·cm减小到4.74×10-4Ω·cm,禁带宽度则由原来的3.83eV增加到3.90eV.退火处理增强了薄膜的择优取向和结晶度、增加了禁带宽度、提高了载流子浓度并使其透射谱线的光学吸收边发生蓝移现象.

关键词: ZnMgO:Ga膜 , 脉冲激光沉积 , 沉积温度 , 真空退火

p型ZnO薄膜研究进展

盛苏 , 方国家 , 袁龙炎

材料科学与工艺 doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2006.06.020

ZnO薄膜是一种应用广泛的半导体材料.近几年来,随着对ZnO的光电性质及其在光电器件方面应用的开发研究,ZnO薄膜成为研究热点之一.制备掺杂的p型ZnO是形成同质p-n结以及实现其实际应用的重要途径.近来已在p型ZnO及其同质结发光二极管(LEDs)研究方面取得了较大的进展.目前报道的p型ZnO薄膜的电阻率已降至10-3 Ω·cm量级.得到了具有较好非线性伏安特性的ZnO同质p-n结和紫外发光LED.本文就其最新进展进行了综述.

关键词: ZnO薄膜 , p型掺杂 , 同质p-n结

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