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ITO薄膜的XPS和AES研究

陈猛 , 裴志亮 , 白雪冬 , 黄荣芳 , 闻立时

材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2000.02.012

分别用XPS和AES分析了ITO薄膜真空退火前后各元素化学状态的变化和深度分布情况研究表明,退火前后Sn和In处于各自相同的化学状态中.O以氧充足和氧缺乏两种化合状态存在,其结合能值分别为(529.90±0.30)eV和(531.40±0.20)eV.氧缺位状态主要分布在薄膜表层.各元素在薄膜体内分布均匀而在膜基界面存在金属富集.

关键词: 化学状态 , 光电子能谱 , 俄歇电子能谱 , Gauss拟合

ITO薄膜的光电子能谱分析

陈猛 , 裴志亮 , 白雪冬 , 黄荣芳 , 闻立时

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2000.01.034

运用XPS分析了ITO薄膜真空退火前后各元素化学状态的变化情况.研究表明,低温直流磁控反应溅射ITO薄膜退火前后Sn和In处于各自相同的化学状态中.O以两种化合状态O I和O II存在,其结合能值分别为529.90±0.30 eV和531.40±0.20 eV,分别对应着氧充足和氧缺乏状态.两者面积之比R O_I/O II从薄膜表面到体内逐渐增大.退火后薄膜表面的R O_I/O II小于未退火薄膜表面的R O_I/O II;经Ar+刻蚀20min后,退火薄膜体内的R O_I/O II大于未退火薄膜体内的R O_I/O II.这些结果表明,ITO薄膜中氧缺位状态主要分布在薄膜表层.

关键词: 化学状态 , 光电子能谱 , Gaussian拟合

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