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王云生 , 张绵 , 赵静 , 白锡巍
功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.020
介绍一种GaAs单片超高速模拟开关IC的设计和制备.电路设计采用了独特的开关管导通时栅-源电压跟随和开关管关断时栅-源电压箝位的电路,使开关获得良好的线性和3ns的开启和关断超高速特性,满足了毫微秒脉冲相关信号的处理要求.
关键词: 砷化镓 , 模拟开关 , 集成电路 , 相关器
张绵 , 王云生 , 李岚 , 白锡巍
功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.017
在无光照条件下测量背栅时,部分半绝缘砷化镓材料呈现明显低频振荡.对振荡特性进行了初步研究,并观察了振荡对GaAsMESFET噪声性能的影响.实验结果表明了采用不同低频振荡特性的材料制备器件时,其噪声性能也有差别.
关键词: 半绝缘GaAs , 低频振荡 , 噪声
