郑红军
,
卜俊鹏
,
曹福年
,
白玉柯
,
吴让元
,
惠峰
,
何宏家
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1999.04.001
采用TEM观测与X射线双晶回摆曲线检测化学腐蚀逐层剥离深度相结合的方法,分析了SI-GaAs晶片由切、磨、抛加工所引入的损伤层深度.比较两种方法测量结果上的差异,得出了TEM观测到的只是晶片损伤层厚度,而X射线双晶回摆曲线检测化学腐蚀逐层剥离所得的深度是晶片损伤层及其形成应力区的总厚度的结论.
关键词:
砷化镓
,
切片
,
磨片
,
抛光片
,
表面损伤层
郑红军
,
卜俊鹏
,
尹玉华
,
白玉柯
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.009
采用不同的化学腐蚀方法,探讨了不同体系成份、温度、腐蚀过程的吸放热对晶片均匀性的影响,提出了氨水系列,进行晶片化学腐蚀,晶片厚度均匀性11.47%,为下步工艺提供平整度较好的晶片.
关键词:
研磨片
,
化学腐蚀方法
,
晶片均匀性
