白林山
,
金斌
冶金分析
doi:10.3969/j.issn.1000-7571.2001.05.015
研究了钒(V)%对KIO4氧化靛红褪色反应的催化作用,建立了一种测定微量钒的方法.在室温22℃下,钒量在0～4.0μg/mL范围内与ΔA呈线性关系,检出限为0.1μg/mL.在NaF及尿素存在下,多数常见离子无干扰.方法简便,灵敏度较高,用于钢中钒的测定,结果满意.
关键词:
钒
,
靛红
,
催化光度法
,
钢铁
储向峰
,
李秀金
,
董永平
,
乔红斌
,
白林山
稀有金属材料与工程
利用固相反应法制备纳米二氧化锡磨料并研究了制备条件对平均粒径的影响.结果表明,在500 ℃/4 h条件下制得的纳米二氧化锡粉体在水中有良好的分散性和稳定性.利用自制的抛光液对高纯钌片进行化学机械抛光,与二氧化硅磨料抛光液比较,材料去除速率和表面粗糙度都降低.当抛光液中含1％(质量分数,下同)二氧化锡、1％过硫酸铵、1％酒石酸和3 mmol/L咪唑,pH=8.0,抛光压力为17.24 kPa时,材料去除速率(MRR)和表面粗糙度(Ra)分别为6.8 nm/min和4.8 nm.
关键词:
纳米二氧化锡
,
磨料
,
化学机械抛光
,
钌
王婕
,
储向峰
,
董永平
,
白林山
,
叶明富
,
孙文起
稀有金属材料与工程
研究了抛光液中H2O2和水杨酸浓度对钌的抛光速率的影响.采用电化学方法和X射线光电子能谱分析了H2O2和水杨酸对金属钌腐蚀效果的影响;采用原子力显微镜观察钌表面的微观形貌.结果表明:水杨酸浓度的增加有利于金属钌表面钝化膜的形成,抛光速率值随之增加;随着H2O2浓度的不断增加,抛光速率不断增加,当H2O2质量分数大于3％时,抛光速率值随浓度的增加而降低.抛光后的金属钉表面平均粗糙度Ra为7.2 nm.
关键词:
钌
,
化学机械抛光
,
水杨酸
储向峰
,
李秀金
,
董永平
,
张王兵
,
白林山
稀有金属材料与工程
利用自制的抛光液对高纯镍片进行化学机械抛光,研究化学机械抛光过程中抛光压力、pH值、H2O2浓度、络合剂种类及其浓度、SiO2浓度等参数对抛光速率的影响.结果表明在抛光压力为13.79 kPa、H2O2浓度为0.5％,pH值为3.0,SiO2浓度为0.5％,络合剂EDTA及其浓度为1％时,得到最大抛光速率为312.3 nm/min;在抛光压力为13.79 kPa、pH值为4.0、SiO2浓度为1％、络合剂EDTA为1％、H2O2浓度为1％条件下抛光得到的镍片表面质量较好,表面粗糙度Ra达到5nm.并利用电化学手段研究了镍片在抛光液中的溶解与钝化行为.
关键词:
镍
,
化学机械抛光
,
抛光速率
熊伟
,
储向峰
,
白林山
,
董永平
,
叶明富
表面技术
概述了化学机械抛光作用机制,着重阐述了3种常见衬底(α-Al2O3,SiC,Si)的化学机械抛光现状,主要从抛光工艺参数和抛光液组成(不同磨料、磨料粒径、氧化剂、络合剂、pH值等)对晶片抛光效果的影响展开研究,并指出了目前化学机械抛光存在的问题,进一步展望了LED衬底化学机械抛光的发展前景.
关键词:
衬底材料
,
化学机械抛光
,
抛光工艺
,
抛光浆料
刘新华
,
王世范
,
宋宝安
,
白林山
应用化学
doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2006.12.011
以水杨醛与丙酮缩合形成α,β不饱和酮,和硫代氨基脲关环形成吡唑硫代酰胺结构骨架,合成了7种未见文献报道的5-(2-羟基苯基)-3-甲基吡唑硫代酰胺类衍生物,并经过元素分析、红外光谱、核磁共振氢谱对其结构进行了表征.对新合成的化合物进行了初步生物活性测试.结果表明,化合物3c、3d和3g对大肠杆菌有一定的杀菌活性,最小全杀死质量浓度分别为250、250和500 mg/L;化合物3g对变形杆菌有一定的杀灭活性.
关键词:
吡唑
,
硫代酰胺
,
生物活性
白林山
,
梁淼
,
储向峰
,
董永平
,
张王兵
稀有金属材料与工程
利用化学机械抛光方法对锇基片进行表面平坦化处理,通过自制抛光液研究不同表面活性剂对锇化学机械抛光效果的影响.采用电化学分析方法和X射线光电子能谱(XPS)仪分析表面活性剂对锇抛光的影响,利用原子力显微镜(AFM)观察抛光后锇的表面形貌.结果表明:加入四甲基氢氧化铵(TMAOH)后,金属锇的去除速率从5.8 nm/min降低到2.9 nm/min,同时锇表面粗糙度从2.1 nm上升到4.8 nm;聚乙二醇400 (PEG-400)、六偏磷酸钠(SHMP)、十二烷基磺酸钠(SDS)3种表面活性剂虽然可以提高金属锇的抛光速率,但是在改善锇表面质量方面并没有帮助;十二烷基硫酸钠(SLS)和十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)不仅可以提高金属锇的抛光速率,而且可以得到更好的表面平坦化效果,其中十六烷基三甲基溴化铵效果更加明显,可以将锇表面粗糙度(Ra)降低到0.57 nm,同时将抛光速率提高到14.6 nm/min.
关键词:
化学机械抛光
,
锇
,
表面活性剂
,
电化学
王金普
,
白林山
,
储向峰
人工晶体学报
利用自制的抛光液对硬盘微晶玻璃基板进行化学机械抛光.研究了抛光压力、SiO2浓度、pH和氧化剂过硫酸铵浓度等因素对材料去除速率MRR和表面粗糙度Ra的影响,系统分析了微晶玻璃抛光工艺过程中的影响因素,优化抛光工艺条件,利用原子力显微镜检测抛光后微晶玻璃的表面粗糙度.结果表明:当抛光盘转速为100 r/min、抛光液流量为25 mL/min、抛光压力为9.4 kPa、SiO2浓度为8wt％、pH=8、过硫酸铵浓度为2wt％时,能够得到较高的去除速率(MRR=86.2 nm/min)和较低表面粗糙度(Ra=0.1 nm).
关键词:
微晶玻璃
,
化学机械抛光
,
表面粗糙度
,
材料去除率
储向峰
,
白林山
,
陈同云
稀有金属材料与工程
利用自制的抛光液和改造的抛光机对NiP基板进行电化学机械抛光,研究了抛光电压、抛光台转速、抛光压力和抛光液流速对材料去除速率的影响,对电化学机械抛光的机理做了初步的分析.研究结果表明,NiP基板可以用低压力(3.5 kPa)抛光,材料的去除速率可以通过调整抛光电压,抛光台转速和抛光液流速进行控制.
关键词:
电化学机械抛光
,
硬盘
,
NiP
