贾福超
,
白亦真
,
屈芳
,
孙剑
,
赵纪军
,
姜辛
新型炭材料
doi:10.1016/S1872-5805(09)60039-1
采用热丝化学气相沉积法,改变工作气压和偏流,在硅基片上沉积了高掺硼金刚石膜.利用扫描电镜(SEM)、拉曼光谱和X射线衍射仪对沉积的金刚石膜表面形貌和结构进行表征.结果显示:当气体压强从3kPa降低到1. 5kPa时,金刚石膜有较平的表面形貌和和较好的晶形,薄膜的晶体性质得到良好的改善.但是继续降气体压强,从1.5kPa到 0.5kPa时,却呈现出相反的趋势.固定气体压强(1. 5kPa),改变偏流,结果表明:适当的偏流(3A)可以改善掺硼金刚石的质量,偏流较高会导致薄膜中非金刚石相增多.
关键词:
高掺硼金刚石膜
,
气体压强
,
偏流
,
热灯丝化学气相沉积
,
扫描电镜
,
X射线衍射仪
,
拉曼光谱
金曾孙
,
姜志刚
,
白亦真
,
吕宪义
新型炭材料
doi:10.3969/j.issn.1007-8827.2002.02.003
建立和发展了非脉冲式的直流热阴极PCVD(Plasma Chemical Vapour Deposition)方法.通过采用温度为1100℃～1500℃的热阴极以及阴极和阳极尺寸不相等配置,在大的放电电流和高的气体气压下实现了长时间稳定的辉光放电,并用这种方法制备出大尺寸高质量的金刚石厚膜,其厚膜直径为40mm～50mm,膜厚为～4.2mm,生长速率最高达到25μm/h左右,在5μm/h～10μm/h的生长速率下制出的金刚石厚膜,热导率一般在10W/K*cm～12W/K*cm.高导热金刚石厚膜用做半导体激光二极管列阵的热沉和MCM的散热绝缘基板,明显地改善了它们的性能.
关键词:
热阴极
,
PCVD
,
金刚石厚膜
白亦真
,
金曾孙
,
姜志刚
,
韩雪梅
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2003.05.014
研究了在热阴极辉光放电等离子体化学气相沉积金刚石膜过程中,热阴极辉光放电特性与金刚石膜沉积工艺的关系.结果表明,适当的阴极温度是保证大电流、高气压辉光放电的必要条件.阴极的温度影响辉光放电阴极位降区的放电性质.金刚石膜的沉积速率随着气体压力(16～20 kPa)的升高而上升,在18.6 kPa左右出现最高值,而阳极位降区电场强度的降低使膜品质下降.放电电流(8～12 A)对沉积速率的影响与气体压力的影响具有相似的规律.
关键词:
无机非金属材料
,
热阴极
,
等离子体化学气相沉积
,
辉光放电
,
金刚石膜
曲文超
,
吴爱民
,
吴占玲
,
白亦真
,
姜辛
金属学报
doi:10.3724/SP.J.1037.2010.00712
采用多靶磁控共溅射技术,利用高纯度Al,Mg和B单质靶材为溅射源,室温下在单晶Si(100)表面上成功制备了低摩擦系数的非晶态Al-Mg-B硬质薄膜.通过改变Al/Mg混合靶体积配比及靶材溅射功率来调控薄膜成分,最终制备的Al-Mg-B薄膜成分接近AlMgB14相的元素成分比,其Vickers硬度约为32 GPa.XRD及HR-TEM分析表明,制备的薄膜均为非晶态.XPS测试表明薄膜内部存在B-B及Al-B单键;FTIR进一步测试表明,在波数1100 cm-1处出现较为明显的振动吸收峰,证明制备的薄膜中含有B12二十面体结构,这也是薄膜具有超硬性的主要原因.薄膜摩擦磨损测试表明薄膜雌擦系数在0.07左右.
关键词:
磁控溅射
,
Al-Mg-B薄膜
,
硬度
,
B12二十面体
王佳宇
,
金爱子
,
白亦真
,
纪红
,
金曾孙
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.01.030
CVD金刚石厚膜具有极高的硬度,使得对其进行表面抛光极为困难.传统的机械抛光方法既不经济又耗费时间,而一些新的抛光技术又由于实验条件限制而难以推广.针对以上情况,我们寻求到一种新的化学刻蚀方法,即利用稀土化合物浆料对金刚石厚膜生长表面进行刻蚀,破坏表面的晶粒使之成为晶骸,降低表面的耐磨性,以提高表面粗糙的金刚石厚膜的抛光效率.
关键词:
CVD金刚石厚膜
,
刻蚀
,
稀土化合物浆料
