唐贵德
,
刘兴民
,
刘力虎
,
赵旭
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白一鸣
,
潘成福
,
侯登录
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余勇
,
禹日成
,
靳常青
功能材料
采用溶胶-凝胶(sol-gel)法制备了名义组分为La0.67Sr033-xAgxMnO3(x=0.15、0.20)的多晶样品,发现用Ag部分替代Sr后样品的室温磁电阻比替代前明显增大.在1.8T下,La0.67Sr0.18Ag0.15MnO3样品的磁电阻在330K出现峰值,其峰值为35%;对于La0.67Sr0.13Ag02 MnO3样品,磁电阻峰值为26%,且峰的宽度较大,在290～315K之间的磁电阻随着温度变化不大,因此显著提高了室温时样品的磁电阻和磁电阻的温度稳定性,另外,还提高了样品的磁场灵敏度,这对磁电阻的应用有很大意义.
关键词:
磁电阻效应
,
锰氧化物
,
钙钛矿结构
,
溶胶-凝胶法
付蕊
,
陈诺夫
,
涂洁磊
,
化麒麟
,
白一鸣
,
弭辙
,
刘虎
,
陈吉堃
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.07.020
基于Ⅲ-Ⅴ族材料制备的多结太阳电池由于优越的性能,在空间电源领域和地面聚光方面的应用越来越受到重视.介绍了多结太阳电池的高光电转换效率机理,并从材料选择、结构设计、优化生长工艺等方面讨论了研发Ⅲ-Ⅴ族高效多结太阳电池的实现方案和最新技术进展.重点探讨了采用GaInNAs(Sb)新材料、倒置生长、半导体键合等技术方法.其中,采用半导体键合技术制备的GaInP/GaAs//GaInAsP/GaInAs四结太阳电池光电转换效率为46％,也是目前实验室最高效率.此外,分析了Ⅲ-Ⅴ族高效多结太阳电池的发展方向,并对其前景进行了展望.
关键词:
Ⅲ-Ⅴ族化合物
,
高效多结太阳电池
,
半导体键合
,
晶格失配
辛雅焜
,
陈诺夫
,
吴强
,
白一鸣
,
陈吉堃
,
何海洋
,
李宁
,
黄添懋
,
施辉伟
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.04.031
在石墨衬底上分别制备了具有(220)和(400)择优取向的多晶硅薄膜.首先利用磁控溅射技术直接在石墨衬底上制备非晶硅薄膜层，以及先制备 ZnO 过渡层，再在 ZnO 过渡层上制备非晶硅薄膜层；然后采用快速退火法对非晶硅薄膜晶化，使其形成多晶硅薄膜籽晶层.XRD 测试表明，未引入 ZnO 过渡层的多晶硅薄膜籽晶层具有高度(220)择优取向，而引入 ZnO 过渡层的多晶硅薄膜籽晶层具有高度(400)择优取向；最后在多晶硅籽晶层上通过对流辅助化学气相沉积(CoCVD)制备多晶硅薄膜.根据 SEM、XRD、拉曼测试表明，多晶硅薄膜的性质延续了多晶硅籽晶层的性质，未引入 ZnO 过渡层的样品，具有高度(220)择优取向.引入 ZnO 过渡层后的样品，具有高度(400)择优取向，(400)择优取向的转变有利于后续多晶硅薄膜太阳电池的制作.同时对 Si(220)和 Si (400)择优取向的形成原因做了初步分析.
关键词:
多晶硅薄膜
,
石墨衬底
,
籽晶层
,
氧化锌
,
择优取向
,
对流辅助化学气相沉积
孔凡迪
,
陈诺夫
,
陶泉丽
,
贺凯
,
王从杰
,
魏立帅
,
白一鸣
,
陈吉堃
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2017.02.016
采用传统方法向晶体硅中扩磷不仅耗时长,而且能耗多.使用快速热处理(RTP)方法可以在数十秒时间内达到磷扩散深度和浓度的要求,具有广阔前景.使用磷纸作为扩散源,结合快速热处理法对p型单晶硅片进行磷扩散,用磨角染色法探究扩散结深,获得了最为理想的p-n结扩散温度及时间.通过计算快速热处理条件下磷在硅中的扩散系数以及扩散激活能,分析了与传统扩散方法不同的原因.
关键词:
半导体材料
,
p-n结
,
快速热处理
,
磷扩散
,
扩散系数
姚建曦
,
白一鸣
,
陈诺夫
,
高桥雅英
,
横尾俊信
材料科学与工程学报
本文采用溶胶-凝胶法不添加任何表面活性剂和胶体模板制备了大孔TiO2薄膜.首先,在TiO2前驱体溶液中引入可聚合的有机单体,利用浸渍提拉法制备TiO2胶体薄膜.然后将该薄膜在紫外光下照射一段时间.紫外光照诱发了单体聚合,导致薄膜中出现两相,一相是新生成的富聚合物相,另一相是富TiO2低聚物一残余的单体相.将光照后的薄膜在600℃热处理10分钟后,可以得到具有大孔结构的TiO2薄膜.采用SEM,AFM,XRD,TG-DTA等技术对样品进行了表征.结果表明,多孔薄膜的结构可以通过改变反应参数进行调控,单体浓度的变化可以影响到薄膜晶体结构,600℃的煅烧可以将体系中绝大部分的有机物除去.光催化降解亚甲基蓝溶液实验结果表明,制备的TiO2多孔薄膜表现出较好的光催化性能.
关键词:
大孔TiO2薄膜
,
溶胶凝胶制备
,
光聚合
,
相分离
,
光催化
