吕蓬
,
郭亨群
,
申继伟
,
王启明
功能材料
采用射频磁控反应溅射法结合热退火处理技术制备纳米硅镶嵌氮化硅(nc-Si/SiNx)复合薄膜.通过X射线能谱(EDS)、红外光谱(IR)、X射线衍射(XRD)及紫外-可见吸收光谱(UV-vis)的测定,对薄膜进行了组分、键合状态、结构及光学带隙的表征.采用皮秒激光运用单光束Z扫描技术开展了对该复合薄膜的非线性光学性质的研究,测得其三阶非线性折射率系数和非线性光吸收系数分别为10-8esu和10-8m/W量级,并将薄膜这种三阶光学非线性增强的原因归因于量子限域效应.
关键词:
nc-Si/SiNx薄膜
,
射频磁控反应溅射
,
光学非线性
,
量子限域效应
,
Z扫描
张春华
,
郭亨群
,
王国立
,
申继伟
,
徐骏
,
陈坤基
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.03.002
采用射频磁控反应溅射技术制备不同Si层厚度的a-Si/a-SiNx超晶格材料.利用红外光谱(IR)、能谱(EDS)、X射线衍射谱(XRD)、吸收谱和光致发光(PL)谱对超晶格材料的成分、结构和发光特性进行研究.结果表明,样品的光学吸收边和PL峰随着Si层的厚度的变化而发生明显偏移,观察到了明显的量子限制效应.在氮气保护下以1000℃对样品进行热退火处理,发现Si层厚的样品退火后发光峰相对于退火前发生了蓝移,这归因于样品中nc-Si颗粒的形成.
关键词:
a-Si/a-SiNx超晶格
,
光致发光
,
量子限制效应
,
射频磁控反应溅射
