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ZnS晶体的化学气相沉积生长

杨曜源 , 李卫 , 张力强 , 蔡以超 , 王向阳 , 肖红涛 , 田鸿昌 , 东艳萍 , 方珍意 , 郝永亮

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.01.020

本文报道了用化学气相沉积(CVD)法生长ZnS透明多晶体的实验结果,对生长的晶体的物理化学性能进行了测试,讨论了化学气相沉积工艺中影响ZnS晶体质量的因素.结果表明:选用固体硫作原料,用化学气相沉积方法,可以沉积出透明ZnS多晶体;它的透过性能极其优异,在6.2μm处无吸收峰,在中、长波红外透过率可达70%以上.

关键词: 化学气相沉积法 , 硫化锌 , 红外材料

工艺参数对CVD ZnS沉积速率的影响

杨曜源 , 蔡以超 , 东艳苹 , 张力强 , 王向阳 , 肖红涛 , 田鸿昌 , 李卫 , 郝永亮 , 方珍意

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.02.026

本文报道了CVD法制备ZnS晶体的制备工艺,系统地研究了气体流量、工作气压、基板温度等主要工艺参数对沉积速率的影响规律.实验表明,随着H2S(s)/Zn摩尔流量比的增加,沉积速率逐渐增大;基板温度升高,沉积速率加快;工作气压增大,沉积速率变化不大.在本实验研究的条件下认为,采用合适的H2S(s)/Zn摩尔流量比和沉积温度,在较低的工作气压下生长晶体,能保证较稳定的沉积速率,生长出高质量的晶体.

关键词: 红外材料 , ZnS , CVD , 沉积速率

CVT法生长GaP多晶

王向阳 , 何莉 , 田鸿昌 , 东艳萍 , 蔡以超

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.05.037

阐述了CVT(化学气相输运)法生长GaP的基本反应和输运速度,采用CVT法生长出了GaP多晶.设计了石英管的结构以制造出一个局部的低温区域,防止了GaP在管壁的生长.生长出的GaP多晶相对密度为98%,红外透过率达到30%,努普硬度为611kg/mm2.散射颗粒测试表明主要的光散射颗粒为多晶中存在的孔隙.

关键词: CVT(化学气相输运) , GaP多晶 , 红外窗口材料

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