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田达晰 , 杨德仁 , 徐明生 , 阙端麟
材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2000.03.025
本文从气氛、热场、坩锅材料、埚位、埚转、晶转、变参数拉晶等几个方面论述了CZ硅单晶初始氧浓度和氧的轴向均匀性的控制方法,着重研究了变参数拉晶对氧的轴向均匀性控制的影响.
关键词: 硅 , 氧 , 杂质