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纳米通道中电渗流的分子动力学模拟

田菲 , 陈云飞

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.02.002

采用分子动力学(MD)方法,模拟了纳米通道中NaCl溶液的电渗现象.模拟结果表明,与上下两板带同性电荷相比,当纳米通道的上下壁面所带电荷电性相反时,通道中水的浓度分布大致相同,而离子浓度分布,水的速度及通道中的电势分布相差很大.具体表现在:Na+主要聚集在带负电的硅板附近,cl-主要聚集在带正电的硅板附近,通道中部出现电荷倒置现象;在通道下部的区域水的速度为负值,而在上部区域速度为正值;电势在硅板附近呈指数分布,其值在下硅板附近为正,在上硅板附近为负,在模拟区域中段,电势在通道下部区域由正值变为负值,在通道上部区域由负值变为正值.此外,模拟结果还表明:纳米通道中的速度流型随通道壁面电荷分布的改变而改变.

关键词: 电渗流 , 电荷倒置 , 剪切流 , zeta电势

自分离硅微通道的氧化

田菲 , 袁丁 , 王连卫

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.05.012

本文研究了自分离硅微通道(self lift-off silicon microchannels)的氧化问题.自分离是在特定的实验条件下,在完成电化学刻蚀后,硅微通道可以自动和衬底分离的一种新技术.研究发现,在使用传统的干氧-湿氧-干氧氧化化过程中,硅微通道出现了弯曲变形的现象.微通道越薄,其形变越大.通过使用较厚的硅微通道以及在干-湿-干氧化过程之前增加了干氧,以及先进行激光切割的步骤,改善和基本消除了弯曲变形的现象.

关键词: 自分离硅微通道 , 弯曲变形 , 氧化

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