蔡志华
,
田洪涛
,
陈朝
,
周海光
,
孙书农
,
Pavel K.Kashkarov
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2002.05.015
Nd:YAG连续激光辐照在表面蒸有Zn薄膜的n-InP片上,用激光诱导的方法实现Zn在InP中掺杂,形成PN结.用电化学C-V方法和扫描电子显微镜对辐照后的样品进行分析研究,给出激光辐照功率、辐照时间等工艺参数对结深、浓度分布影响.在n-InP片表面得到受主浓度分布均匀、高掺杂(～1019cm-3)、浅结(～1μm)的P-InP.初步分析其掺杂机理是激光诱导下所形成的合金结过程.
关键词:
InP
,
激光诱导
,
Zn掺杂
