董国义
,
窦军红
,
张蕾
,
韦志仁
,
葛世艳
,
郑一博
,
林琳
,
田少华
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.01.026
本文采用微波吸收法,测量了ZnS:Mn,Cu:I,Br粉末材料受到超短激光脉冲激发后,其光生电子和浅束缚电子的衰减过程.发现制备过程中Mn2+、Cu1、I-、Br-的掺杂量对光生导带电子的衰减过程有明显的影响.光生电子寿命是I-、Br-形成的浅施主能级和Cu+受主能级、Mn2+发光中心共同作用的结果.本文还测量了材料的热释光曲线,Cu+受主能级、Mn2+发光中心会影响热释光强度,证实I-、Br-形成电子陷阱对光生电子和浅陷阱中的电子寿命有延长作用,而Mn2+发光中心会起到缩短寿命的作用.
关键词:
ZnS
,
微波介电谱
,
热释光
,
光电子
李志强
,
田少华
,
韦志仁
,
葛世艳
,
窦军红
,
郑文礼
,
张华伟
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.04.043
本文采用水热法合成了MnxZn1-xO晶体,水热反应条件为3mol·L-1KOH作为矿化剂,填充度为35%,温度为430℃,在Zn(OH)2中添加一定量的MnO2为前驱物,反应时间为24h.通过X射线能谱仪测量了晶体中的Mn含量,随着前驱物中MnO2含量的增加,晶体中Mn的原子百分比随着增加,Mn最大原子百分比含量超过了2%,晶体的形貌具有纯ZnO晶体的六角柱形特征.显露柱面m{1010}、锥面p{1011}、负极面O面{0001}和正极面{0001}.晶体直径为50～200μm,高度为20～100μm.
关键词:
水热合成
,
ZnO
,
矿化剂
,
稀磁半导体
,
晶体
李志强
,
李娟
,
田少华
,
韦志仁
表面技术
doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2004.02.013
以硅酸乙酯和氧气作为前驱体,在500℃下, 采用流态化CVD法,对ZnS:Cu电致发光粉表面包覆SiO2薄膜,对膜层进行了SEM、EDX、AgNO 3抗腐蚀、发光亮度等测试.结果显示:发光粉颗粒表面明显存在一定量的SiO2.包覆的发光粉耐AgNO3腐蚀时间能达121h之久,样品的初始发光亮度均能达到未包覆样品的70%以上,包膜样品的发光光谱峰没有产生大的移动.
关键词:
电致发光粉
,
SiO2
,
包膜
,
CVD
