魏爱军
,
赵茜
,
霍富永
,
田光
腐蚀与防护
采用动电位扫描和交流阻抗技术研究了常压条件下X80钢COz腐蚀电化学特性。结果表明：在30-80°C范围内，阳极反应机理没有发生变化，而阴极反应机理在60°C时已经发生改变；在阳极极化条件下，X80钢CO2腐蚀的电化学阻抗谱（EIS）曲线具有三个时间常数；其中低频感抗弧与试样表面活化溶解有关，低频容抗弧与试样表面腐蚀产物膜生成有关；随着温度的升高，EIS曲线低频区感抗弧逐渐缩小，容抗弧逐渐扩大。
关键词:
CO2腐蚀
,
温度
,
电化学阻抗谱
,
X80钢
王卓
,
田光
,
石少波
硅酸盐通报
室温下将40 keV的H离子以不同剂量注入到单晶Si样品中,部分H预注入的样品又进行了190 keV O离子注入.采用光学显微镜和透射电子显微镜分析比较了注入及退火后单晶Si样品的表面损伤以及注入层微观缺陷的形貌.光学显微镜结果表明,只有高剂量H离子注入的单晶Si经过450℃退火后出现了表面发泡和剥离,而总剂量相同的H、O离子顺次注入单晶Si的样品没有出现任何表面损伤.透射电子显微镜结果表明,低剂量H离子注入单晶Si经过高温退火可以在样品内部形成一个由空腔构成的损伤带.附加O离子注入对损伤形貌产生了重要影响,空腔消失,损伤带由大量板状缺陷构成.
关键词:
H离子注入
,
空腔
,
单晶Si
