葛水兵
,
程珊华
,
宁兆元
,
沈明荣
,
甘肇强
,
周咏东
,
褚君浩
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.01.010
用脉冲激光法制备了ZnO:Al透明导电膜.通过对膜的霍尔系数测量及SEM、XRD分析,详细研究了靶材中的化学配比(掺杂比)对膜的透光率和电阻率的影响.结果表明:掺杂比影响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况.掺杂比从0.75%增至1.5%,膜的载流子浓度、透光率( 波长大于500nm)和光隙能相应增大.在掺杂比为1.5%左右时沉积的膜的电阻率达到最小,其值为7.1×10-4Ωcm,且在可见光区其透光率超过了90%.
关键词:
脉冲激光沉积
,
ZnO膜
,
掺杂比
黄峰
,
康健
,
杨慎东
,
叶超
,
程珊华
,
宁兆元
,
甘肇强
功能材料
用苯(C6H6)和三氟甲烷(CHF3)混合气体作源气体,采用永磁微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(MWECRCVD)技术,制备了氟化非晶碳膜(a-C:F).光学带隙的结果表明它与膜中的C、F元素含量和键结构都有关系;伏安特性的测量表明a-C:F薄膜的电导在低电场下呈欧姆特性,高电场下则是肖特基发射机制.
关键词:
a-C:F薄膜
,
MWECR-CVD
,
光学带隙
,
J-V特性
甘肇强
,
陆新华
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2002.02.004
改变CHF3/CH4流量比R=[CHF3]/([CHF3]+[CH4]),采用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(MWECR-CVD)方法沉积a-C:F:H薄膜.a-C:F:H薄膜的结构和光学带隙使用傅立叶变换红外光谱和紫外-可见光谱来表征.红外结果表明,在低流量比R(R<64%)下,薄膜的红外特征结构主要以-CF(1060cm-1),-CF2(1120cm-1)以及-CHx(2800～3000cm-1)的伸缩振动为主;在高流量比R(R＞64%)下,薄膜表现为类聚四氟乙烯(PTFE)的结构特征,典型的红外特征峰是位于1220cm-1处的-CF2反对称伸缩振动.薄膜的光学带隙Eg随流量比R的变化表现为先降后升.进一步研究表明,薄膜中的H和F浓度调制着薄膜的 C==C共轭双键结构,使光学带隙Eg从2.37到3.3之间变化.
关键词:
a-C:F:H薄膜
,
傅立叶变换红外光谱
,
紫外可见光谱
王季魁
,
沈明荣
,
方亮
,
甘肇强
功能材料
采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了多种不同组分的(Pb1-xSrx)TiO3(PST)(x=0.45、0.50、0.55、0.60、0.65)均匀薄膜和多层膜,并研究了它们的介电性质.发现均匀薄膜在x=0.55(PST55)时有最大的介电常数,10kHz下为879,损耗为0.029.在与均匀薄膜相同的条件下分别制备了PST45/PST55,PST50/PST60,PST55/PST65 3种多层膜.发现PST50/PST60多层膜的介电常数得到了明显的增强,在频率为10kHz时相对于同厚度的PST55均匀薄膜从879增加到1008,而损耗依然保持较低(0.027).研究同时表明,PST多层膜在电容-电压可调谐性和介电击穿等性质方面也较均匀薄膜有不同程度提高.与其它两种多层膜比较后发现,在PST50/PST60多层膜中处于PST55左右组分的界面层对介电性质有比较大的影响.
关键词:
溶胶-凝胶法
,
钛酸锶铅
,
多层膜
,
介电性质
甘肇强
,
诸葛兰剑
,
吴雪梅
,
姚伟国
,
罗经国
功能材料
使用双离子束溅射法制得了铁氮薄膜,随着基片温度的变化,薄膜的成分是ε-Fe2～3N、γ-Fe4N或是二相的混合物,薄膜的晶粒尺寸随基片温度的升高而增大.以振动样品磁强计(VSM)测定了薄膜的磁性能.另外,研究了在基片温度为160℃时,改变主源中通入N2/Ar的比例对薄膜成分的影响.
关键词:
双离子束
,
铁氮薄膜
,
磁性能
郑分刚
,
朱卫东
,
沈明荣
,
甘肇强
,
葛水兵
功能材料
用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)基底上制备Pb1-xLaxTiO3(PLT,x≤0.2)薄膜,研究薄膜的结构及其介电、铁电性能.在600℃下退火1h的PLT薄膜表现出单一的钙钛矿结构,(100)择优取向明显.在室温下PLT薄膜有典型的电滞回线.在x≤0.2(摩尔比)的范围内,PLT薄膜的矫顽场、剩余极化强度都随着La的增加而降低,相对介电常数则随着La的增加而增加.
关键词:
溶胶-凝胶
,
PLT薄膜
,
研究
甘肇强
功能材料
采用溶胶-凝胶法在Si衬底上制备了钛酸镧铅薄膜.通过对膜进行XRD、SEM、介电和铁电性能测试,研究了退火条件和掺镧量对薄膜性能的影响,结果发现在600℃下退火1h的PLT薄膜呈现钙钛矿结构;常温下,薄膜的矫顽场和剩余极化强度都随着掺镧量的增加而降低,其介电常数和介质损耗却随掺镧量的增加而增大.
关键词:
铁电薄膜
,
钛酸镧铅
,
溶胶-凝胶法
徐华
,
沈明荣
,
方亮
,
甘肇强
功能材料
采用脉冲激光沉积法,在Pt/Ti/SiO2/Si基底上分别制备厚度为350nm的Ba0.5Sr0.5TiO3(BST)、Pb0.5Ba0.5TiO3 (PBT)和Pb0.5Sr0.5TiO3 (PST)薄膜并研究了它们的介电性质.XRD显示,在相同的制备条件下三者具有不同的择优取向,PST具有(110)择优取向,PBT具有(111)择优取向,而BST则是混合取向.SEM显示三者样品表面均匀致密,颗粒尺寸大约在50nm至150nm之间.PST与BST、PBT相比有更高的介电常数,在频率为10kHz时,分别为874、334和355,而损耗都较低,分别为0.0378、0.0316和0.0423,同时PST漏电流也是最小的.测量薄膜的C-V特性和铁电性能表明室温下BST呈现的是顺电相,PST和PBT则呈铁电相.本文也测量了薄膜在不同频率下的介电温度特性,BST、PBT和PST均表现出频率弥散现象,即随着频率的降低,居里温度降低而介电常数会升高.并测得BST和PST的居里温度分别为-75和150℃,而PBT的居里温度在250℃以上.本文研究表明:与BST相比较,PBT的介电常数与之相近,漏电流较大;而PST具有高介电常数,较小的漏电流和较大的电容-电压调谐度,在相关半导体器件中的应用将有很大的潜力.
关键词:
脉冲激光
,
铁电薄膜
,
介电性质
