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刘杰 , 侯明东 , 张庆祥 , 甑红楼 , 孙友梅 , 刘昌龙 , 王志光 , 朱智勇 , 金运范
原子核物理评论 doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2002.04.010
简略介绍了高能质子在半导体芯片中引起单粒子效应的实验测量和理论分析方法, 包括核反应分析方法、半经验方法, 介绍了质子和重离子翻转截面间的关系, 并用重离子实验数据预测器件在质子环境下的翻转率.
关键词: 单粒子效应 , 质子 , 半导体器件
