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Ni-Al-V合金L12相间有序畴界面的微观相场模拟

张明义 , 王永欣 , 陈铮 , 张静 , 赵彦 , 甄辉辉

金属学报

利用微观相场动力学模型模拟Ni-Al-V合金沉淀过程中L12相间有序畴界面,对界面结构及其界面处原子的行为进行了研究。研究表明L12有序畴间存在三种稳定界面以及两种过渡型界面;界面的迁移性与界面结构有关,(001)L12和(002)L12对应、(001)L12和(001)L12对应且有两个Ni原子的稳定界面可以迁移,迁移前后界面结构保持不变,且在迁移的过程中形成过渡型界面;而(001)L12和(002)L12对应且有一个Ni原子的稳定界面则不可迁移;合金元素在不同的界面处有不同的偏聚和贫化倾向,Al原子在所有界面处贫化,V原子在所有界面处偏聚,Ni原子在可迁移界面处贫化,在不可迁移界面处偏聚,且各元素在不同的界面处偏聚以及贫化程度也不一样。

关键词: Ni-Al-V , atomic accumulation , microscopic structure , microscopic phase-field

四近邻对势对Ni75Al5V20合金沉淀机制影响的微观相场模拟

甄辉辉 , 王永欣 , 陈铮 , 张静 , 张明义 , 霍进良

稀有金属材料与工程

利用微观相场动力学模型,研究了4近邻对势对Ni75Al5V20合金沉淀机制的影响.结果表明,不改变4近邻对势,DO22相和Ll2相沉淀机制均为失稳分解与非经典形核混合型机制.随Ni-Al4近邻对势V4Ni-Al向负值方向绝对值增大,Ll2相沉淀机制转变为失稳分解.随Ni-V4近邻对势V4Ni-V增大,DO22相沉淀机制转变为失稳分解,Ll2相转变为非经典形核机制,Ll2相中的Al浓度平衡值增大.随Al-V 4近邻对势V4Al-V向负值方向绝对值增大,对沉淀机制的影响趋势与V4Al-V增大类似;随V4Al-V向正值方向增大,与V4Al-V减小的影响类似.

关键词: 对势 , Ni75Al5V20合金 , 沉淀机制 , 微观相场

Ni-Al-V合金L12相间有序畴界面的微观相场模拟

张明义 , 王永欣 , 陈铮 , 张静 , 赵彦 , 甄辉辉

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2007.10.017

利用微观相场动力学模型模拟Ni-Al-V合金沉淀过程中L12(Ni3Al)相间有序畴界面,对界面结构及其界面处原子的行为进行了研究.结果表明:L12相间存在3种稳定的平移界面以及2种过渡界面;界面的迁移性与界面结构有关,一个L12相的(100)和另一个L12相的(200)对应且有两个Ni原子面的界面以及(100)和(100)对应且有两个Ni原子面的稳定界面可以迁移,迁移前后界面结构保持不变,迁移的过程中形成过渡界面;而(100)和(200)对应且有一个Ni原子面的稳定界面则不可迁移.合金元素在不同的界面处有不同的偏聚和贫化倾向,Al原子在所有界面处贫化,V原子在所有界面处偏聚,Ni原子在可迁移界面处贫化,而在不可迁移界面处偏聚,且各元素在不同的界面处偏聚以及贫化程度不同.

关键词: Ni-Al-V合金 , L12(Ni3Al)相 , 有序畴界 , 成分偏聚 , 界面迁移 , 微观相场

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