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几种电流型AM OLED像素电路及其电流缩放比的分析

王龙彦 , 王中健 , 马仙梅 , 付国柱 , 荆海

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2009.02.010

分析了4种典型的电流型AM OLED像素驱动电路的工作原理,从中总结出了补偿阈值电压漂移的方法--自动调节存储电容的电压以保证电流不变.着重提出了电流缩放比的定义,对传统结构、电流镜结构、分压结构和电容耦合结构这4种电流型AM OLED像素驱动电路的电流缩放比进行了比较和分析.在这4种电路中,电流缩放比依次增大,显示出电流型像素电路在解决电容充电时间问题上的进步与完善.

关键词: 有源矩阵OLED , 电流型像素电路 , 薄膜晶体管 , 阈值电压漂移 , 电流缩放比

透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展

王中健 , 王龙彦 , 马仙梅 , 付国柱 , 荆海

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2009.02.011

透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管(TAOS-TFT)以其诸多优势受到研究人员的青睐,最近几年发展迅速.文章以传统薄膜晶体管做对照,详细介绍了TAOS-TFT的原理、结构和性能,总结出TAOS-TFT相对于Si基TFT具有制备温度低、均一性好、迁移率高、对可见光全透明和阈值电压低等5方面的优势,指出了TAOS-TFT在进一步实用化过程中所面临的几个重要问题,其中最为重要的是需要尽快建立自身的集约化物理模型.

关键词: 透明非晶态氧化物半导体 , 薄膜晶体管 , 有源矩阵有机发光二极管 , 有源矩阵电泳显示器 , 集约化模型

ZnO薄膜及ZnO-TFT的性能研究

马仙梅 , 荆海 , 马凯 , 王龙彦 , 王中健

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2009.03.013

采用MOCVD法在SiNx绝缘薄膜上生长了ZnO薄膜,通过X射线衍射与光致发光光谱表征了ZnO薄膜的质量.其结果是:XRD特征峰半高全宽0.176°,光致发光仅有381.1nm的发光峰,展现了ZnO薄膜光电特性的优势.制备了底栅型ZnO薄膜晶体管,测试表明器件具有明显的场效应特性及饱和特性.

关键词: 氧化锌薄膜晶体管 , 氧化锌薄膜 , X射线衍射 , 光致发光

氩气压强对溅射法制备Ga掺杂ZnO薄膜性能的影响

马仙梅 , 荆海 , 王永刚 , 王龙彦 , 王中健 , 马凯

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2009.06.013

采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了高质量的Ga掺杂ZnO透明导电薄膜(GZO).通过X射线衍射、原子力显微镜、四探针电导率测试仪等表征方法研究了溅射气压对薄膜结晶特性及导电性能的影响.所制备的GZO薄膜是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向.随着溅射气压的增大,薄膜方块电阻与薄膜电阻率均随之增大.最小方块电阻可达17.6 Ω/□,最小薄膜电阻率为7.3×10~(-4) Ω·cm.另外,GZO薄膜在可见光范围内的透过率达到了90%以上.

关键词: GZO , 磁控溅射 , 氩气压强

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