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GaAs与Si之间过渡层的设计及其分析

谭红琳 , 王雪雯

功能材料

从理论上计算出GaAs/Si异质结在Si的(211)面上界面态密度最小,故GaAs在Si(211)面上生长晶格失配度较小.同时,为了缓解晶格失配,我们采用生长一层GaAs多晶层或Te过渡层得到较好的结果.

关键词: 晶格失配 , 界面态密度 , 过渡层