李彤
,
刘盾
,
裴志军
,
王雅欣
,
孙守梅
,
马兴兵
,
冯立营
,
张铭
,
严辉
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2008.04.012
本文利用磁控溅射法通过改变衬底温度成功制备出La0.8Sr0.2 MnO3/TiO2异质P-N结.当衬底温度升高时,LSMO/TiO2异质PN结表现出相对较好的整流特性.这可能是由于衬底温度的升高导致氧气吸收的增加,进而导致载流子浓度增大,串联电阻降低.电流电压的变温特性曲线显示随着测量温度的降低,扩散电压增大,这可能由于能带结构模型与热激活模型共同决定.值得提出的,异质P-N结结电阻随温度变化曲线呈现出单层LSMO表现的金属绝缘相变特性,并且在低测量温度时表现出随着测量温度的降低结电阻增大,这可能是由于宽带隙的TiO2的引入导致.
关键词:
异质结
,
整流特性
,
庞磁阻
牛新环
,
张维连
,
吕海涛
,
蒋中伟
,
王雅欣
功能材料
采用近红外分光光度仪(UV/VIS)测试了直拉法生长的掺杂不同Ge浓度的硅单晶样品,得到了不同锗浓度下1000～2000nm波长范围内样品的透射率和反射率,利用相关公式计算出单晶的光学吸收系数,根据吸收系数与单晶禁带宽度的关系式作图,得到了不同锗浓度样品的禁带宽度值.结果发现,随锗浓度的提高,样品的禁带宽度逐渐减小.这结论与理论结果相吻合.
关键词:
直拉法
,
晶体生长
,
SiGe体单晶
,
禁带宽度
王光伟
,
姚素英
,
王雅欣
,
刘颖
材料导报
分析了外加直流电场对Al和Ni诱导非晶硅(a-Si)薄膜横向结晶速率的影响,指出,在热处理条件下,Al和Ni能加快诱导a-Si薄膜横向结晶的速率;适当强度的外加电场能明显加快金属诱导a-Si横向结晶速率;Al和Ni诱导a-Si结晶速率的增大主要是电场提高了扩散物的迁移率.但场强超过某临界值后该速率降低.基于电迁移效应,对此结果作了较合理的解释.结合文献,提出一经验公式,并用MATLAB模拟了外电场中Al和Ni诱导a-Si薄膜横向结晶速率曲线.
关键词:
电场增强横向诱导结晶
,
扩散
,
电迁移
,
晶粒长大
李彤
,
介琼
,
张宇
,
王雅欣
,
倪晓昌
,
赵新为
材料导报
综述了近年来国内外NiO/ZnO薄膜太阳能电池的研究进展,重点介绍了有无掺杂的NiO/ZnO薄膜太阳能电池的制备方法及电性能指标,并简要分析了该异质结薄膜太阳能电池存在的问题和未来发展动向,认为未来NiO/ZnO薄膜太阳能电池的研究应集中在通过选择掺杂元素以及引入中间层来提高电学特性.
关键词:
NiO/ZnO
,
异质结
,
薄膜太阳能电池
蔡宏琨
,
张德贤
,
冯凯
,
齐龙茵
,
王雅欣
,
孙云
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.005
本文讨论了P型微晶硅薄膜性能随硅烷浓度(SC)的变化.采用X射线衍射仪(XRD),拉曼光谱仪和傅立叶变换红外吸收光谱仪(FTIR)对薄膜的结构进行了表征.随硅烷浓度的增加,微晶硅薄膜材料的生长速率和暗电导率(σd)逐渐增大,光学带隙逐渐降低.当硅烷浓度为2.0%时,硅基薄膜材料是以非晶硅为主并有散落的微晶硅颗粒的非晶硅结构.当硅烷浓度为1.5%时,硼的掺杂效率最大,同时可观察到硼抑制薄膜晶化的现象.
关键词:
太阳电池
,
微晶硅
,
非晶硅
王光伟
,
姚素英
,
徐文慧
,
王雅欣
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20112605.0582
采用射频磁控溅射法在n-Si(100)衬底上沉积Si1-xGex薄膜,俄歇电子谱(AES)测定Si1-xGex薄膜的Ge含量约为17%.对薄膜进行高温磷扩散掺杂,制得n-poly-Si0.83Ge0.17.在n-poly-Si0.83Ge0.17薄膜上溅射一层Co膜,制成Co/n-poly-Si0.83 Ge0.17/n-Si肖特基结样品.在300～600℃范围内,对样品做快热退火.对不同退火温度下的样品做I-V-T测试.研究发现,测试温度升高,不同退火温度样品的肖特基势垒高度(SBH)的差别变小,500℃退火的样品,表观SBH最小.总体上,SBH随测试温度的升高而变大,理想因子的变化趋势则与之相反.基于SBH的不均匀分布建模,对实验结果给出了较为合理的解释.
关键词:
变温I-V测试
,
肖特基结
,
快热退火
,
理想因子
,
肖特基势垒高度的不均匀性
