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溶胶凝胶法制备MgB2膜

张辰 , 陈丽萍 , 王银博 , 吴桃李 , 刘文静 , 刘雨潇 , 薛驰 , 冯庆荣

低温物理学报

本文介绍了一种新的制备MgB2膜的方法--溶胶凝胶法.以Mg(BH4)2的乙醚溶液(Mg(BH4)2·Et2O)作为前驱体,将其覆涂于Al2O3(001)衬底上,并在Ma气氛保护下高温退火,得到了MaB2的多晶膜.与其它制备MgB2膜的方法相比,这种方法制备的膜具有较高品质,超导转变温度达到37K,临界电流密度Jc(5 K,0 T)~5×106A/cm2,上临界场Hc2(0)~19T.对于MgB2厚膜及线带材的制备,溶胶凝胶法被证明是一种极具潜力的方法.

关键词: Mg(BH4)2·Et2O , MgB2膜 , Sol-gel法

MgB2薄膜的制备与特殊性质

吴桃李 , 王银博 , 张琰 , 陈晋平 , 冯庆荣

低温物理学报

本文报道了利用混合物理化学气相沉积方法(HPCVD)在SiC衬底上制备出约150 nm厚,结构均匀的MgB2薄膜.由R~T曲线知道样品Tc(0)高达40.1K由M~T曲线知道其Tc=40.4K,且曲线转变十分陡峭.X射线衍射分析表明薄膜具有较好的C轴取向,没有氧污染,却存在Mg的杂峰.由M~H曲线,利用毕恩模型计算得到了5 K零场条件下Jc(0T,5K)=2.7×106A/cm2,Hc2=19.5 T.这些结果表明过量的Mg对MgB2薄膜的转变温度以及有些性质有较大的影响.

关键词: 混合物理化学气相沉积法 , MgB2薄膜 , 转变温度Tc

纳米粒子在不锈钢衬底MgB2超导膜中的作用

王银博 , 易声宇 , 冯庆荣

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2008.02.002

我们用混合物理化学气相沉积法(hybrid physical-chernical vapor deposition简称为HPCVD)以氩气为背景气体,在不锈钢衬底上于不同条件下制备了一批MgB2超导薄膜样品.用扫描电子显微镜获取了相关的SEM图像,并对膜的成分进行了能谱分析(EDX)的.当把不锈钢衬底MgB2超导薄膜弯曲不同角度之后,膜面上均出现了裂纹.裂纹的数量和宽度随弯曲的角度的增大而增加,但是膜始终紧紧地覆着在衬底上不脱落.因此我们可以说覆着在不锈钢衬底上的MgB2超导薄膜具有了很好的韧性.在膜中我们也发现有大量的数十纳米大小的晶粒.这个尺寸的纳米粒子的作用可以用来平衡MgB2膜内结构和表面晶粒的活性之间的相互作用.MgB2纳米粒子的存在是MgB2超导膜表现出韧性的关键角色.

关键词: 混合物理化学气相沉积法(HPCVD) , MgB2超导薄膜 , 不锈钢衬底 , 韧性 , 纳米粒子

硅掺杂MgB2超导薄膜的制备及研究

张从尧 , 王银博 , 冯庆荣

低温物理学报

本文报道了基于混合物理化学气相沉积法(Hybrid physical-chemical vapor deposition,简称为HPCVD),以硅烷热解出的Si原子作硅源,在SiC衬底上原位生长了一系列硅掺杂MgB2超导薄膜样品.样品中最大硅掺杂量是9%.与纯净的MgB2薄膜相比较,掺杂样品的超导临界转变温度Tc没有大幅下降,超导临界电流Jc得到了一定提升.在温度为5K,外加垂直磁场为3T的条件下,样品的临界电流密度最大达到2.7×105Acm-2.同时上临界场Hc2在超导转变温度附近对于温度的变化曲线斜率-dH/dT也有一定的提高.

关键词: MgB2超导薄膜 , 硅掺杂 , 混合物理化学气相沉积法(HPCVD)

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