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孙红婵 , 胡冰 , 张桓 , 李晨辉 , 王鑫阁 , 张红松
硅酸盐通报
采用放电等离子烧结技术分别制备了SiC和钨丝掺杂SiC材料,记录了两种材料烧结工艺曲线,利用XRD方法测定了制备材料的成分.分析工艺曲线结果表明:烧结过程可分为4个阶段,其中SiC-W烧结第二阶段温度明显低于SiC烧结温度,且位移量小于SiC.
关键词: 碳化硅 , 钨丝 , 烧结工艺
