梅丽润
,
王金良
,
杨成涛
,
陈微微
材料导报
纳米银纤维是在尼龙等柔性织物表面沉积纳米银颗粒而得到的复合材料,它不仅保持了原有的纺织品属性,还具有银的特殊功能.银具有很好的导电、导热性能,同时还具有非常有效的广谱抗菌性,因此银纤维具有很好的防辐射性和抗菌性,引起人们广泛的研究兴趣.综述了磁控溅射法制备纳米银纤维的研究近况和成果,介绍了其防辐射和抗菌性能的机理,提出了存在的问题及可能的改进方法.
关键词:
银纤维
,
纳米银
,
磁控溅射
,
抗菌
,
防辐射
王晓宇
,
李华芳
,
石嵩
,
唐仕川
,
王金良
人工晶体学报
本文采用磁控溅射系统在非晶硅薄膜的表面沉积不同覆盖度的银纳米颗粒,并研究纳米颗粒的表面覆盖度对非晶硅薄膜光吸收特性的影响.结果表明随着纳米颗粒表面覆盖度的增加,薄膜的晶格结构并不受影响.但是,随着表面覆盖度的增加,薄膜在近红外区域内对光的吸收范围却发生了明显变化.当纳米颗粒的表面覆盖度达到8％时,薄膜在近红外区域内对光的吸收范围达到了最大.这主要是由于纳米颗粒的局域表面等离子体增强了光吸收.
关键词:
银纳米颗粒
,
表面覆盖度
,
光吸收特性
,
局域表面等离子体
许恒星
,
王金良
,
唐宁
,
彭洪勇
,
范超
人工晶体学报
采用射频磁控溅射法在硅(100)衬底上制备高质量的ZnO压电薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、压电响应力显微镜(PFM)等仪器研究了薄膜成分,表面形貌和压电性质.结果表明:实验制备的ZnO薄膜具有很好的压电性质,c轴取向和表面粗糙度对薄膜压电特性有很大影响,高度c轴取向生长和表面粗糙度较小的ZnO薄膜表现出更好的压电性质.
关键词:
ZnO薄膜
,
射频磁控溅射
,
压电性质
,
表面粗糙度
杨丽娇
,
王金良
,
杨成涛
,
梅丽润
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2013.04.009
采用水热法在高压反应釜内的高温、高压超临界水热环境下,以去离子水为反应介质,使活性高且难溶于水的一氧化硅粉末(SiO)通过硅原子的重结晶成核生长出本征硅纳米线.通过温度控制仪控制高压反应釜内温度和压力的变化,探索制备硅纳米线的最佳水热条件.通过多次实验探索,得知水热法制备硅纳米线的最佳条件是温度大于等于450℃、压力在9～10 MPa.然后通过扫描电子显微镜(SEM)、能量色散X射线光谱仪(EDX)、高分辨透射电镜(HRTEM)观察SiNWs的形貌和结构,分析其组成成分.通过SEM可观察到硅纳米线表面光滑、最小直径达50 nm及长度为3～5 μm,由EDX图像可知SiNWs中只有硅和氧两种元素,而且Si∶O原子数比为3.5∶1.0.在HRTEM下可知硅纳米线是由芯部的晶体硅结构和外部无定形的二氧化硅包覆层组成,且包覆层小于5 nm.研究了本征SiNWs的拉曼光谱,发现拉曼主峰蓝移且在低频发生不对称宽化,分析认为是硅纳米线中存在的压应力和缺陷导致的.同时,在实验的基础上解释水热法制备SiNWs的机制,SiO在水热环境下歧化反应生成硅和二氧化硅,然后Si和SiO2开始堆叠生成SixO,即大量的纳米团簇,在一定温度下硅原子重结晶,同时在SixO的引导下沿一维方向生长.
关键词:
硅纳米线
,
水热法
,
拉曼光谱
杨丽娇
,
王金良
,
杨成涛
,
梅丽润
材料导报
系统地介绍了导致硅纳米线(SiNWs)光致发光(PL)的主要原理,如量子限制效应、量子尺寸效应、硅纳米颗粒发光机理和杂质缺陷发光机理.同时从SiNWs的直径、测试温度、SiNWs外部包覆层、SiNWs的形态等几个方面出发,详细地归纳总结了近十多年来国内外对SiNWs的PL原理的研究成果及进展.
关键词:
硅纳米线
,
光致发光
,
量子限制效应
陈亚婷
,
王金良
,
陈泽升
,
秦韶阳
,
薄乾红
人工晶体学报
通过金属催化化学刻蚀的方法中的两步法制备出了具有阵列结构的硅纳米线,研究了不同刻蚀条件对硅纳米线形貌的影响,分析了形成不同形貌的原因.测定了不同条件下制备的硅纳米线的光吸收性能,总结了影响光吸收性能的因素和原因,根据硅纳米线的光吸收图求出了硅纳米线的禁带宽度,说明了硅纳米线已经具备不同于硅片的性能.
关键词:
硅纳米线
,
金属催化化学刻蚀法
,
光吸收
徐刚毅
,
王天民
,
王金良
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.01.010
利用高真空PECVD系统在p型单晶硅上沉积掺磷n型纳米硅薄层(nc－Si:H)，形成纳米硅/单晶硅Np异质结二极管,通过C－V和J－V测试研究了二极管的电学性质。C－V特性指出该异质结为突变型。J－V特性表明二极管具有很好的温度稳定性和整流特性。正偏压时二极管存在两种输运机制：小偏压时（<0.8V）二极管电流由 耗尽层纳米硅薄层一侧的载流子复合过程决定，纳米硅薄层由于能带弯曲而减小了禁带宽度，这是该二极管温度稳定性好的根本原因；大偏压（>1.0V）时电输运符合电荷限制电流（SCLC）模型。负偏压时电流主要来自空间电荷区中的产生电流。
关键词:
纳米硅/单晶硅
,
Np异质结二极管
,
输运机制
