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Ta上生长的硅薄膜退火的微晶化研究

邓荣斌 , 王茺 , 陈寒娴 , 杨瑞东 , 秦芳 , 肖军 , 杨宇

功能材料

对射频溅射功率80W条件下Ta缓冲层上生长的硅薄膜进行退火并用Raman散射和X射线衍射技术对样品的微观结构进行检测,系统研究了退火温度和退火时间对硅薄膜结晶性的影响.分析结果表明,在560℃退火2h或680℃退火1h之后,硅薄膜开始晶化,并且随着退火温度的增加或退火时间延长,薄膜逐渐由非晶向微晶转变.获得了可用于太阳能电池的微晶硅薄膜的最佳晶化参数.

关键词: 退火 , 微晶硅薄膜 , , 太阳能电池

Ge/Si纳米多层膜的埋层调制结晶研究

杨瑞东 , 陈寒娴 , 邓荣斌 , 孔令德 , 陶东平 , 王茺 , 杨宇

功能材料

采用磁控溅射设备,当衬底温度为500℃时,在Si(100)基片上磁控溅射生长Ge/Si多层膜样品.使用Raman,AFM和低角X射线技术对样品进行检测和研究,结果表明通过控制Ge埋层的厚度,可以调制Ge膜的结晶及晶粒尺寸,获得晶粒平均尺寸和空间分布较均匀的多晶Ge/Si多层膜.

关键词: Ge/Si纳米多层膜 , 埋层 , 纳米晶粒

温度对离子束溅射生长Ge/Si量子点的形貌影响

张学贵 , 王茺 , 杨杰 , 潘红星 , 鲁植全 , 李亮 , 杨宇

功能材料

采用离子束溅射技术,在不同温度的Si(100)衬底上生长了一系列Ge量子点样品,利用AFM和Raman光谱对样品表面形貌和结构进行表征,结果表明,随着温度升高,量子点密度增大(750℃生长的量子点密度达到1.85×1010cm-2),均匀性变好及结晶性增强;但随生长温度升高,Si-Ge互混程度也同时加剧.

关键词: 离子束溅射 , 量子点 , 表面形貌 , Raman光谱

沉积温度和生长停顿对离子束溅射生长Ge/Si多层膜的影响

杨杰 , 王茺 , 欧阳焜 , 陶东平 , 杨宇

人工晶体学报

采用离子束溅射技术生长了一系列Ge/Si多层膜,研究了沉积温度和生长停顿对Ge/Si多层膜结晶性和界面结构的影响.通过对Raman峰峰位、峰强度比值和X射线小角衍射等方面的研究,发现综合控制沉积温度和生长停顿能够得到结晶性和界面都相对理想的多层膜.这为改善Ge/Si多层膜的离子束溅射生长提供了一种有效的方法.

关键词: 离子束溅射 , Ge/Si多层膜 , 沉积温度 , 生长停顿

温度对绝缘层上应变SiGe沟道p-MOSFET电学特性的影响

于杰 , 王茺 , 杨洲 , 胡伟达 , 杨宇

人工晶体学报

本文利用二维数值模拟方法,模拟分析了不同工作温度时绝缘层上应变SiGe沟道p-MOSFET的输出特性和亚阈值特性.结果表明:随着器件工作温度的不断提高,漏源饱和电流单调减小;亚阈值电流略有增大;亚阈值摆幅的改变量ΔS与温度基本上成线性关系;阈值电压不断地向正方向偏移.通过考虑自热效应的影响,不同Ge组分器件的漏源饱和电流均有不同程度的降低,且随着Ge组分的增加,漏源饱和电流的降低幅度增大.

关键词: 温度 , 应变SiGe沟道 , p-MOSFET , 自热效应

缓冲层厚度对Ge/Si多层膜的影响

欧阳煙 , 王茺 , 杨杰 , 夏中高 , 薄锐 , 杨宇

人工晶体学报

采用离子束溅射技术,通过改变Si缓冲层厚度,在p型Si衬底生长了一系列的Ge/Si多层膜样品.利用Raman光谱、X射线小角衍射以及原子力显微镜等分析测试技术,研究了多层薄膜的结晶、膜层结构、表面形貌等性质.结果表明:通过引入缓冲层,在一定程度上可以提高颗粒的结晶性;随着缓冲层逐渐沉积,来自界面态的影响有了明显的减弱,且多层膜结构的生长得到有效改善.红外吸收光谱实验表明多层膜的吸收特性与其周期结构密切相关,因此可以通过改变缓冲层厚度的方法,实现对多层薄膜红外吸收特性的调制.

关键词: 缓冲层 , 周期结构 , 颗粒尺寸 , 红外吸收

离子束溅射生长Ge纳米薄膜的表面形貌观察

杨杰 , 王茺 , 欧阳焜 , 杨瑞东 , 刘芳 , 杨宇

功能材料

采用离子束溅射技术并按正交试验方案生长了不同厚度以及在不同条件下退火的Ge纳米薄膜,用AFM图谱对薄膜的表面形貌进行了表征.结果表明厚度为2.8nm的Ge膜在600℃下退火10min,出现了高4nm、直径50nm左右的Ge岛,而10nm厚的Ge膜在720℃下退火120min,岛的数量较多且分布比较均匀.通过离子束溅射机理和沉积原子之间的扩散运动,对这些现象进行了较为合理的解释.

关键词: 离子束溅射 , Ge纳米薄膜 , 表面形貌 , 退火

两步法溅射中缓冲层厚度对Ge薄膜质量的影响

关中杰 , 靳映霞 , 王茺 , 叶小松 , 李亮 , 杨宇

人工晶体学报

采用低温缓冲层技术制备Ge薄膜,利用AFM和Raman光谱研究缓冲层厚度对低温Ge缓冲层残余应变弛豫的影响.实验结果显示:随着缓冲层厚度的增加,残余应变弛豫度增大.在30 nm厚的低温Ge缓冲层上生长800nm厚的Ge外延层.Ge薄膜具有良好的结晶性,表面粗糙度RMS为2.06 nm.

关键词: Ge薄膜 , 低温Ge缓冲层 , 射频磁控溅射

镁合金Ni-Cu-P/纳米TiO2化学复合镀层性能探究

马壮 , 王锐 , 王茺 , 李智超

材料导报

对镁合金表面化学镀Ni-Cu-P进行改进,在其镀液中加入纳米粒子TiO2,在镁合金AZ91D上获得耐磨耐蚀性能优良且兼具有抗菌性能的化学复合镀层.对此镀层表面形貌、组织结构、抗菌、耐磨、耐蚀性能进行了分析,结果表明:该镀层均匀、致密,结合力优良;Ni-Cu-P/纳米TiO2化学复合镀层磨料磨损最佳耐磨性是基材的1.69倍,粘着磨损最佳耐磨性是基材的1.63倍;耐氯化钠和醋酸溶液腐蚀结果均显示该镀层具有较好的耐蚀性;抗菌性能中最佳杀菌率为99.7%,达到了理想的效果.

关键词: 化学复合镀 , 纳米TiO2 , 抗菌性能

溅射气压对Ge/Si纳米点表面形貌的影响

叶小松 , 王茺 , 关中杰 , 靳映霞 , 李亮 , 杨宇

功能材料

利用磁控溅射技术在Si(100)衬底上直接外延生长一系列不同压强下的Ge纳米点样品,并利用AFM、Raman和XRF对Ge纳米点样品形貌和结构进行了研究。结果表明Ge薄膜表面粗糙度在某一临界压强下发生突变,高能粒子热化的临界值与这种转变密切相联;分析讨论了Ge岛在不同溅射气压下的生长过程,在一定范围随着压强的增大会显示典型生长阶段的特征。

关键词: 磁控溅射 , Ge/Si纳米点 , 表面形貌 , 热化

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