钱聪
,
张恩霞
,
贺威
,
张正选
,
张峰
,
林成鲁
,
王英民
,
王小荷
,
赵桂茹
,
恩云飞
,
罗宏伟
,
师谦
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.04.012
研究了在改性注氧隔离(SIMOX)材料上制备的具有环栅和H型栅结构的部分耗尽NMOS晶体管在三种不同偏置状态的总剂量辐照效应.实验表明在10keV的X-射线总剂量辐照下,器件的背栅、正栅阈值电压负向漂移和漏电流都控制在较小的水平;在2Mrad(SiO2)的辐照下仍能正常工作.研究证实了无论哪种栅结构,对于背栅,PG均为最劣偏置,其次是OFF偏置,而ON偏置下器件受辐照的影响最小;而对于正栅,ON均为最劣偏置.通过拟合计算出了绝缘埋层(BOX,即埋氧)中的饱和净正电荷密度Not和空穴俘获分数α.
关键词:
绝缘体上硅(SOI)
,
总剂量辐照效应
,
环栅结构
,
H型栅结构
姜守振
,
李娟
,
陈秀芳
,
王英民
,
宁丽娜
,
于光伟
,
胡小波
,
徐现刚
,
王继杨
,
蒋民华
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.010
本文在背景Ar气压力为8×104Pa、温度为1800～2000℃的条件下,对升华法生长SiC单晶的籽晶进行了原位退火处理,利用原子力显微镜和光学显微镜对退火后的6H-SiC晶片表面进行了观察,研究了退火温度和时间对晶片表面的影响.发现经过退火处理后的籽晶表面存在规则的生长台阶,有助于侧面生长模式的发展,进一步有助于台阶流生长模式的发展.通过对籽晶的退火处理,降低了螺旋生长中心的密度,从而减少多型夹杂、小角度晶界和微管等缺陷的出现,提高了晶体质量.
关键词:
升华法
,
SiC
,
退火
宁丽娜
,
胡小波
,
王英民
,
王翎
,
李娟
,
彭燕
,
高玉强
,
徐现刚
功能材料
合成了适于半绝缘碳化硅单晶生长的高纯度SiC粉料.实验发现,不同的硅粉形状、粒度以及合成温度、时间都对合成产物的形貌、组成和产率有影响.合成产物的形貌通过扫描电子显微镜(SEM)观察,结构通过粉末衍射法(XRD)测定.结果表明,合成产率与Si粉的表面积有十分重要的关系,表面积越大,合成产率越高.合成温度和时间则决定了合成产物中岐睸iC和猹睸iC的比例.辉光放电质谱(GDMS)测量了合成产物的杂质含量,表明合成产物符合半绝缘SiC单晶的生长要求.
关键词:
高纯
,
合成
,
碳化硅粉
姜守振
,
黄先荣
,
胡小波
,
李娟
,
陈秀芳
,
王英民
,
宁丽娜
,
徐现刚
,
蒋民华
功能材料
利用同步辐射X射线形貌术对升华法生长的6H-SiC(0001)晶片中的小角晶界与微管缺陷进行了研究.小角晶界在同步辐射中的形貌成直线沿〈11- 00〉方向分布.根据螺位错附近的应变场和衍射几何,模拟了基本Burgers矢量大小的螺位错在同步辐射形貌像中的衍衬像,模拟结果与实验结果符合较好.据此指认了基本螺位错,并确定了微管Burgers矢量的大小.
关键词:
同步辐射背反射白光形貌术
,
小角度晶界
,
微管
,
SiC
,
升华法
王英民
,
宁丽娜
,
彭燕
,
徐化勇
,
胡小波
,
徐现刚
人工晶体学报
利用光学显微镜观察了6H-SiC晶体成核表面形貌,并使用高分辨X射线衍射法检测了不同区域的结晶质量.根据表面形貌的不同将成核表面分为三个区域:平台区、斜坡区、凹坑区.平台区的结晶质量最好,斜坡区和凹坑区由于缺陷(例如微管、小角晶界和多型夹杂等)的存在导致结晶质量变差.依据温场分布以及籽晶的固定分析了凹坑产生的可能原因.根据观察纵切片发现源于斜坡区以及凹坑区的缺陷随着晶体的生长继承到晶体内部导致后期生长的晶体质量变差.最后我们提出了通过优化成核温场分布以及改善籽晶固定方法来提高晶体成核质量的思路.
关键词:
6H-SiC
,
成核
,
表面形貌
,
缺陷
王英民
,
毛大立
稀有金属材料与工程
通过对不同成分的Cu-Ag合金进行大形变量拉伸及热处理, 制成了具有高强度、高电导率的纤维增强复合材料, 合金线材的抗拉强度达到1.1 GPa、电导率为80%IACS. 研究了合金成分、形变及热处理在这一过程中对Cu-Ag合金力学性能、电学性能的影响. 并对其强化机理进行了讨论.
关键词:
Cu-Ag合金
,
形变
,
热处理
,
高强度
,
高电导率
裘海锋
,
王英民
,
苗立贤
,
侯志娇
,
苗瀛
,
杨冰
电镀与涂饰
利用电沉积原理，提出了一种在钢丝表面热浸镀锌-10%铝-稀土合金镀层的工艺，在热浸镀合金之前电沉积一层锌镀层，以代替普通的“双镀法”。给出了各工序的溶液配方及工艺条件。指出重点应放在钢丝的预处理上。采用2道电解脱脂以及石英砂擦拭、水溢流漂洗工艺，得到非常清洁的钢丝表面，才能保证镀层质量。给出了合金液温度范围(455~460°C)、氮气抹拭温度参数等技术要点。该工艺较“双镀法”节约能源，生产成本低。探讨了影响镀层质量的富集铝漂浮物的产生原因及处理办法，使镀层光滑，无“疙瘩”等缺陷。该工艺所得钢丝的表面质量稳定，各项理化技术指标达到YB/T 4221-2010《机编钢丝网用镀层钢丝》标准的要求。
关键词:
钢丝
,
锌-铝-稀土合金
,
热浸镀
,
前处理
,
缺陷
毛开礼
,
王英民
,
李斌
,
赵高扬
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2017.01.024
10 kV以上高压功率器件的应用提出了高质量快速4H-SiC 外延生长工艺要求.4°4H-SiC 厚膜外延生长时,对于器件制备不利的三角缺陷和台阶聚并是常见问题,使用 HCl气体作为含Cl化合物,研究了不同刻蚀工艺、不同刻蚀温度对于4H-SiC外延层质量的影响.采用1620℃ HCl气体刻蚀衬底5 min,1600℃外延生长的工艺,可以有效降低三角缺陷数量,同时避免台阶聚并的形成.通过刻蚀工艺,以平均55．2μm/h 的外延速率生长了平均55．2μm厚的高质量4H-SiC外延层,三角缺陷数量＜1个/cm2,表面粗糙度0．167 nm.
关键词:
同质外延
,
氯化氢
,
快速外延
,
刻蚀工艺
