王艳茹
,
李文坡
,
吴进芳
,
张胜涛
应用化学
doi:10.3724/SP.J.1095.2011.00140
采用循环伏安法(CV)和原位椭圆偏振法(SE)研究铅在铜电极上的电沉积行为.原位椭圆偏振参数ψ和△值的变化率在CV图峰电位处同时出现极值.通过建立单层膜模型描述"电极-溶液"界面的结构并对椭圆偏振光谱数据进行拟合得到铅沉积层厚度随电位的变化规律.拟合结果显示,铅在铜电极上的电沉积有3个不同的沉积速率,-0.20～-0.35 V之间沉积速率为0.003 nm/mV,-0.35～-0.48 V之间沉积速率为0.025 nm/mV,-0.48～-0.60 V之间沉积速率为0.116 nm/mV,由此表明铅的电沉积分为3个不同阶段:欠电位沉积阶段、欠电位沉积向本体沉积的过渡阶段和本体沉积阶段.
关键词:
原位椭圆偏振光谱法
,
铅电沉积
,
铜
