王显明
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杨利
,
王翠梅
,
薛成山
稀有金属材料与工程
用氨化溅射Ga2O3薄膜的方法,成功地合成了一维GaN纳米线.用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和高分辨电镜(HRTEM)对样品进行了分析.生成的GaN纳米线平直光滑,其直径为20 nm～90 nm,长可达50 μm;纳米线为高质量的单晶六方纤锌矿GaN,沿[110]方向生长.用此工艺制备GaN纳米线,避免了在制备过程中引入杂质,合成的纳米线纯度较高.
关键词:
氨化
,
Ga2O3薄膜
,
GaN纳米线
,
射频磁控溅射
马泽宇
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王晓亮
,
王翠梅
,
肖红领
,
杨翠柏
材料导报
从T-ZnOw独特的空间结构出发,建立了T-ZnOw高分子复合材料的新型三维点阵模型,利用Monte Carlo方法对该系统的逾渗导通行为进行了模拟,得到点阵逾渗阈值为23.2%.结合实际计算获得了T-ZnOw的临界掺入比例,与文献报道的结果基本吻合.计算表明临界掺入比例主要取决于T-ZnOw的长径比,并与晶须尺寸以及复合材料制备工艺有关
关键词:
T-ZnOw
,
逾渗
,
复合材料
王显明
,
杨利
,
王翠梅
,
薛成山
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2003.06.006
通过氨化射频溅射工艺生长的纳米Ga2O3薄膜, 在石英衬底上反应自组装生成了高质量的GaN纳米线. 用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)和高分辨电镜(HRTEM)对样品的组分、形貌和结构进行了分析. 生成的GaN纳米线平直光滑, 其直径为20～120 nm, 长可达50 μm; 纳米线为高质量的单晶六方纤锌矿GaN, 沿[110]方向生长. 用此工艺制备GaN纳米线, 简单新颖, 不需要模板或催化剂的辅助作用.
关键词:
纳米Ga2O3薄膜
,
GaN纳米线
,
射频磁控溅射
,
氨化
