李达
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陈沙鸥
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王继荣
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邵渭泉
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张永成
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张莎莎
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曹红诗
硅酸盐通报
将比表面积分别为30 m2/g和1 m2/g的纳米(50 nln)和微米(2 μm)金红石TiO2陶瓷坯体在高温热膨胀仪中自室温至1200℃进行恒速无压烧结,升温速率为1℃/min,3℃/min和5℃/min,热膨胀仪自动记录烧结收缩.为阐明比表面对无压烧结初期致密化行为的影响,研究了氧化钛陶瓷的烧结收缩行为.同时,利用Arrhenius曲线研究了纳米和微米氧化钛陶瓷的烧结激活能.结果表明:随烧结温度的增加,比表面积的增加加速了致密化速率;纳米和微米氧化钛的烧结激活能分别为115±10 kJ/mol和302±15 kJ/mol;对于纳米氧化钛,当烧结体的瞬时相对密度为70～80%时,出现最大致密化速率,而对于微米氧化钛陶瓷,最大致密化速率出现在相对密度为75～85%.
关键词:
比表面积
,
致密化行为
,
激活能
,
烧结
,
二氧化钛
王继荣
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武壮文
,
于洪国
,
张海涛
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.002
HB-GaAs (100) 片要偏离生长截面54.7°～60°切割(〈100〉和〈111〉之间的夹角是54.7°).如果籽晶方向与〈100〉之间的夹角少于54.7°,称为反偏籽晶.而采用大于54.7°角生长的单晶切割比较困难,尤其是厚度小于300 μm的晶片.为了减少切割难度,可生长反偏籽晶的单晶,但要保证单晶能割出Φ2″(100)圆片,必须增加单晶锭的截面积.由于GaAs的热导率小,大截面单晶生长要困难得多.通过改变固液截面附近的加热元件结构,在特定方向加强了散热,延伸了温度梯度的线性范围,使用反偏籽晶,成功地生长了Φ2″ HB-GaAs单晶.和正偏籽晶单晶相比,这些单晶锭的切割破损率减少了24%,每100 mm长度出片数增加了30%.
关键词:
反偏籽晶
,
热导率
,
HB-GaAs单晶生长
于洪国
,
武壮文
,
王继荣
,
张海涛
功能材料
讨论了如何在水平砷化镓单晶生长过程中进行位错控制,通过控制熔区的长短,使单晶的生长过程更趋稳定,和控制生长界面的形状以及界面处的温度梯度,减少了位错的产生和增殖.采取以上措施可以在一定程度上降低位错.
关键词:
水平砷化镓
,
位错密度
,
熔区
,
温度梯度
