武明珠
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郭闰达
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张振松
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岳守振
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曲加伟
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胡守成
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黄苒
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杜寰
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王红波
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赵毅
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153005.0790
以比铝、银等金属材料透光性更好的铜作为白光有机顶发射器件的顶电极,将其应用到基于 Al 底电极的蓝、黄互补色顶发射白光有机电致发光器件(TEWOLED),通过合理设计器件结构,制备出的器件具有较低的驱动电压和较高的效率,4 V 下亮度超过1000 cd/m2、功率效率达到28．5 lm/W,效率滚降较小。我们利用 p 型电学掺杂结构和电子注入缓冲层结构分别解决了铝和铜电极功函数同空穴传输层的 HOMO 能级和电子传输层的 LUMO 能级不匹配问题,并通过 TcTa 光学覆盖层的调节作用使器件具有较好的光谱稳定性。基于 Cu 顶电极的 TEWOLED 与采用 Al 作为互连金属的 CMOS 工艺兼容,我们将该器件与硅基 CMOS 驱动电路结合,获得了 SVGA 白光有机微显示器件,为彩色有机发光微显示的实现奠定了基础。
关键词:
顶发射白光有机电致发光器件
,
铜顶电极
,
SVGA白光有机微显示
苟昌华
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武明珠
,
郭永林
,
杨永强
,
关晓亮
,
段羽
,
王红波
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153004.0602
铟镓锌氧化物薄膜晶体管(IGZO TFT)因具有场效应迁移率高,大面积均匀性好,无定型态等特点,被认为是显示器朝着大尺寸、柔性化方向发展的新型背板技术.源漏电极与有源层之间的接触氧化会增大器件的接触电阻,从而导致器件的性能降低.利用未退火IGZO具有氧含量低、氧空位多、电导率高的特点,提出采用未退火IGZO作为源漏电极缓冲层,以减少源漏电极与有源层之间的接触氧化.研究发现插入4 nm未退火IGZO缓冲层时,相对于未采用缓冲层的器件,其饱和区场效应迁移率提高了11.6％,阈值电压降低了3.8V,器件性能有所提高.此外,该方法还可以在原位退火之后继续使用与有源层相同的材料溅射生长缓冲层,能够使得在采用矩形靶溅射方式的工业生产中,制备缓冲层工艺更加简单.
关键词:
薄膜晶体管
,
InGaZnO
,
接触电阻
,
缓冲层
孙梦龙
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王红波
,
聂祥龙
,
马大衍
,
马飞
,
徐可为
稀有金属材料与工程
采用热还原法和原子层沉积技术制备了ZnO-TiO2核壳纳米线,研究沉积厚度、沉积温度及退火对于ZnO-TiO2核壳纳米线晶化和结构的影响.利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨率透射电镜(HRTEM)等手段对退火前后核壳纳米线进行表征.结果表明:沉积厚度和温度的增加有利于TiO2壳层发生非晶向晶化的转变;500℃退火提高了TiO2的结晶性,但可能会使细核壳纳米线(ZnO纳米线直径＜80 nm)产生波浪形变形,使150℃沉积的非晶TiO2壳层形成凸出晶粒,并导致其界面处ZnO缺失.
关键词:
ZnO
,
TiO2
,
核壳纳米线
,
退火
,
晶化
王利捷
,
王红波
,
郝建民
稀有金属材料与工程
对Ti-6Al-4V合金表面进行辉光离子渗硫处理后的显微组织、摩擦学特性进行了研究.结果表明:合金经离子渗硫处理后,渗层主要由TiS2、TiS、TiS3、Ti2S等硫化物组成;对处理前后试样的摩擦学性能研究显示,渗硫后试样在干摩擦纯滑动的情况下表现出良好的减摩性能,并对减摩机理进行了探讨.
关键词:
Ti-6Al-4V
,
离子渗硫
,
摩擦学特性
