陈玉武
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郝秋艳
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刘彩池
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赵建国
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王立建
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吴丹
材料热处理学报
采用微波光电导衰减法(μ-PCD)、扫描电镜等测试技术,研究了快速热处理(RTP)对铸造多晶硅片表面缺陷形貌以及少子寿命特性的影响.结果表明:铸造多晶硅片经低中温(750、850和950℃)RTP时,硅片的少子寿命明显降低,其中在950℃、保温30s时硅片的少子寿命下降幅度最大;当硅片经高温1050℃ RTP时,硅片的少子寿命急剧增大,最大幅度达到初始寿命值的4.3倍.另一方面,保温时间对硅片少子寿命也有很大影响,一定RTP温度下,随着保温时间的增加,硅片的少子寿命逐渐增大.
关键词:
铸造多晶硅
,
少子寿命
,
快速热处理(RTP)
,
缺陷