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余涛 , 彭斌 , 王秋入 , 王鹏
功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.14.013
利用霍尔离子源轰击 Si 基片获得了不同表面粗糙度的基片,然后利用磁控溅射方法制备了一系列Ta(5 nm)/Ni 80Fe 20(12 nm)/Ta(2 nm)薄膜样品,重点研究了基片表面粗糙度对薄膜结构和各向异性磁阻效应的影响。采用 AFM测量基片的表面粗糙度,采用四探针法测量薄膜的各向异性磁阻效应。研究结果表明,随着基片表面粗糙度的增加,坡莫合金的AMR值显著降低,且ΔH 显著增加。
关键词: Ni 80 Fe 20薄膜 , 表面粗糙度 , 各向异性磁阻效应