王秀章
,
刘红日
材料导报
用溶胶-凝胶法采用快速退火方法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了BiFeO3(BFO)薄膜.通过淬火冷却与自然冷却的对比,研究了淬火冷却对BiFeO3(BFO)薄膜的结构、形貌及电性能的影响.XRD研究表明淬火未对薄膜的结晶产生显著的影响.扫描电镜研究表明淬火导致薄膜表面粗糙度增加并出现了裂纹.铁电性测试表明淬火冷却得到的薄膜,其铁电性得到了增强,同时,淬火使BiFeO3薄膜的漏电流增加.
关键词:
铁电薄膜
,
溶胶-凝胶法
,
BiFeO3(BFO)薄膜
,
淬火
刘红日
,
王秀章
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.02.014
用溶胶一凝胶方法在LaNiO3底电极上制备了BiFeO3/PbTiO3多层薄膜.研究了室温下薄膜的结构,铁电性质和漏电流性质,并将其与纯的BiFeO3薄膜的性质进行了比较.从薄膜的XRD模式中可以观察到共存的BiFe3O相和PbTiO3相.通过电滞回线测量发现,在较低的测试电场下,BiFeO3/PbqTiO3多层薄膜表现出反铁电性;而在较强的测试电场下表现出铁电性.相对于纯的BiFeO3薄膜,BiFeO3/PbTiO3多层薄膜能够承受更高的测试电场而获得充分极化,从而表现出较强的铁电性.漏电流特性测试表明,相对于纯的BiFeO3薄膜,BiFeO3/PbTiO3多层薄膜具有更低的漏电流.
关键词:
BiFeO3薄膜
,
BiFeO3/PbTiO3多层薄膜
,
铁电性
,
漏电流
刘红日
,
王秀章
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.05.008
用溶胶一凝胶方法在LaNiO3底电极上制备了500℃退火的BiFeO3薄膜.研究了室温下薄膜的结构,介电与铁电性质和漏电流性质.XRD研究表明薄膜呈R3m结构,没有观察到不纯相.铁电性研究表明,薄膜具有大的剩余极化强度,在600 kV/cm的测试电场下,薄膜的剩余极化强度为20uC/cm2,矫顽场为440 kV/cm.介电性质研究表明,在整个测试频率范围内,薄膜具有小的介电损耗.而漏电流特性测试表明,通过工艺的改进,有效的限制了BiFeO3薄膜的漏电流.
关键词:
BiFeO3薄膜
,
铁电性
,
介电性质
,
漏电流
王秀章
,
晏伯武
,
刘红日
材料导报
采用溶胶-凝胶法在ITO/glass衬底上制备了BiFeO3薄膜,退火温度分别为500℃和550℃.实验结果表明,550℃退火的薄膜晶粒较大且不均匀,并有杂相产生,薄膜的漏电流较大,没有得到饱和的电滞回线;而在500℃退火的薄膜晶粒较小且均匀,没有杂相产生,相对于550℃退火的薄膜,其漏电流密度降低了约2个数量级,铁电性得到明显增强,剩余极化强度约为40μC/cm2,矫顽场约为75kV/cm,最大的测试电场为130kV/cm.
关键词:
铁电薄膜
,
溶胶-凝胶法
,
BiFeO3薄膜
,
退火温度
王秀章
,
晏伯武
,
刘红日
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.01.004
采用溶胶-凝胶方法在FTO/glass底电极上制备了BiFeO_3/Bi_4Ti_3O_(12)和Bi_4Ti_3O_(12)/BiFeO_3多层薄膜.研究了室温下薄膜的结构,铁电性质和介电性质,并将其与纯的BiFeO_3薄膜的性质进行了比较.从薄膜的XRD模式中可以观察到共存的BiFeO_3相和Bi_4Ti_3O_(12)相.通过电滞回线测量可以看出,相对于纯的BiFeO_3薄膜,BiFeO_3/Bi_4Ti_3O_(12)和Bi_4T_(13)O_(12)/BiFeO_3多层薄膜能够承受更高的测试电场而获得充分极化,从而表现出较强的铁电性,在450 kV/cm测试电场下,薄膜的剩余极化强度分别为37 μLC/cm~2和23 μC/cm~2.
关键词:
无机非金属材料
,
BiFeO_3薄膜
,
BiFeO_3/Bi_4Ti_3O_(12)多层薄膜
,
铁电性
王秀章
,
晏伯武
,
郭建林
材料导报
场效应晶体管是现代微电子技术的重要组成部分.为制备氧化锌薄膜晶体管,分析了氧化锌的p型、n型掺杂特性,对p型掺杂进行了实验分析和理论探讨,比较了各种制备氧化锌薄膜晶体管的工艺特点,展示了ZnO在未来电子和光电子领域的潜在应用.
关键词:
氧化锌
,
薄膜
,
p型掺杂
,
制备
