王德新
,
王福泉
,
刘光海
,
陈祥安
,
郑振凯
,
刘建平
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2001.04.016
本文根据溶液晶体生长理论与实践,认定在金刚石结晶V形区域内存在着晶体生长准稳定区.熔剂-碳二元共熔体系处于准稳定的过饱和溶液中,准稳定的过饱和度是金刚石晶体生长的驱动力.提出了设计合理的加热组装结构、建立金刚石生长适宜压力场、温度场的必要条件,以保证在准稳定的过压度驱动下生长出晶形完整的优质金刚石.
关键词:
金刚石
,
温度梯度
,
准稳定区
,
过饱和度
,
晶体生长