余旭浒
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马瑾
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计峰
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王玉恒
,
宗福建
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张锡健
,
程传福
,
马洪磊
功能材料
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出高质量的镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电膜,对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究.制备的ZnO:Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向.薄膜的最低电阻率达到了3.9×10-4Ωcm,方块电阻～4.6Ω/□,薄膜具有良好的附着性,在可见光区的平均透过率达到90%以上.
关键词:
磁控溅射
,
ZnO:Ga
,
光电特性
马瑾
,
余旭浒
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计峰
,
王玉恒
,
张锡健
,
程传福
,
马洪磊
稀有金属材料与工程
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出了镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电膜,研究了真空退火对薄膜结构、电学和光学特性的影响.结果表明:真空退火后,薄膜结构得到明显改善,电阻率由退火前的1.13×10-3Ω·cm下降到5.4×10-4Ω·cm,在可见光区的平均透过率也由未退火前的83%提高到退火后的90%以上.
关键词:
磁控溅射
,
ZnO:Ga
,
真空退火
余旭浒
,
马瑾
,
计峰
,
王玉恒
,
张锡健
,
程传福
,
马洪磊
功能材料
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电膜,研究了薄膜的结构、电学和光学性质随薄膜厚度的变化关系.制备的ZnO:Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向.随着薄膜厚度的增加,衍射峰明显增强,晶粒增大.薄膜的最低电阻率为3.9×10-4Ω·cm,在可见光范围内平均透过率达到了85%以上.
关键词:
磁控溅射
,
ZnO:Ga
,
薄膜厚度
,
光电性质
计峰
,
马瑾
,
王玉恒
,
余旭浒
,
宗福建
,
程传福
,
马洪磊
功能材料
采用常压化学气相沉积法(APCVD)在玻璃衬底上制备出SnO2薄膜,对薄膜的结构和光致发光性质及退火处理对薄膜结构和发光特性的影响进行了研究.制备SnO2薄膜为六角金红石结构,最大晶粒尺寸约为1000nm.室温光致发光(PL)谱测量表明,在396nm处存在强的发光峰.研究了退火处理对发光性质的影响,并对辐射机理进行了探索.
关键词:
APCVD
,
氧化锡薄膜
,
光致发光
马瑾
,
黄树来
,
计峰
,
余旭浒
,
王玉恒
,
马洪磊
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.019
采用射频磁控溅射法在7059玻璃衬底上低温制备出Zn-Sn-O透明导电薄膜.制备薄膜为非晶结构,并且具有很好的稳定性,与玻璃衬底具有良好的附着性.薄膜主要是依靠膜中的氧空位导电,薄膜的电阻率强烈地依赖溅射气体中的氧分压.制备薄膜的最低电阻率为2.27×10-3 Ω·cm,在可见光范围内的平均透过率达超过90%.
关键词:
透明导电膜
,
Zn-Sn-O
,
射频磁控溅射
王玉恒
,
马瑾
,
计峰
,
余旭浒
,
马洪磊
稀有金属材料与工程
用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出SnO2:Sb薄膜,研究了不同掺杂和退火对薄膜结构的影响.制备薄膜是具有纯氧化锡四方金红石结构的多晶膜薄,晶粒生长的择优取向为(110).室温下光致发光测量首次观测到392 nm附近存在紫外-紫光发射,并对SnO2:Sb的光致发光机制进行了探索性研究.
关键词:
射频磁控溅射法
,
SnO2:Sb薄膜
,
光致发光
黄树来
,
马瑾
,
计峰
,
余旭浒
,
王玉恒
,
马洪磊
功能材料
采用磁控溅射技术在有机衬底上低温制备出具有低电阻率和良好附着性的ZnO∶SnO透明导电膜.研究了制备ZnO∶SnO薄膜的结构、成分和光电性质.制备薄膜为非晶结构,有机衬底ZnO∶SnO透明导电膜的最低电阻率约10-2Ω*cm,可见光平均透过率＞82%.薄膜中的氧偏离理想化学配比,氧空位是薄膜中载流子的主要来源.
关键词:
有机衬底
,
ZnO∶SnO薄膜
,
磁控溅射
