王宽冒
,
张沧生
,
李曼
,
周阳
,
王玉强
,
王侠
,
彭英才
,
刘保亭
人工晶体学报
采用射频磁控溅射法在(001)SrTiO_3基片上制备了SrRuO_3薄膜,采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、四探针测试仪等分析方法系统研究了沉积温度对SrRuO_3薄膜结构、表面形貌及输运性质的影响.实验结果表明:当生长温度低于550 ℃时,SrRuO_3薄膜为多晶结构;当温度在550～650 ℃范围内变化时,SrRuO_3薄膜可以在SrTiO_3基片上外延生长,薄膜的最低电阻率约为0.5 mΩ·cm.
关键词:
SrRuO_3
,
磁控溅射
,
外延薄膜
郭颖楠
,
刘保亭
,
赵敬伟
,
王宽冒
,
王玉强
,
孙杰
,
陈剑辉
人工晶体学报
应用非晶的Ti-Al薄膜为导电阻挡层,采用射频磁控溅射法和溶胶-凝胶法在Si衬底上制备了La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3/Pb(Zr_(0.4),Ti_(0.6))O_3/La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3/Ti-Al/Si (LSCO/PZT/LSCO/Ti-Al/Si)异质结,研究了550 ℃常规退火(CTA)和快速退火(RTA)工艺对LSCO/PZT/LSCO/Ti-Al/Si结构和性能的影响.实验发现非晶Ti-Al薄膜在经过不同退火工艺后仍具有非晶结构,快速退火6 min的样品具有较好的物理性能.在418 kV/cm的外加电场下,LSCO/PZT/LSCO电容器的剩余极化强度和矫顽电场强度分别为22 μC/cm~2和83 kV/cm.LSCO/PZT/LSCO电容器的漏电行为不依赖于退火工艺,当电场强度低于46.7 kV/cm时为欧姆导电,高于46.7 kV/cm时为肖特基导电机制.
关键词:
退火工艺
,
PZT
,
磁控溅射法
,
溶胶-凝胶法
余永刚
,
王玉强
,
周彦煌
,
陆欣
工程热物理学报
为了探索液体火箭发动机的新型点火方法,设计了一种周期性序列脉冲放电火花的模拟点火装置,该装置采用电机驱动电极转动,在圆周上形成放电火花的时空分布.采用高速录像系统,开展了HAN基液体推进剂LP1846液雾在不同条件下电点火特性的实验研究,结果表明,电极转速在3-5 r/s时,电火花在圆周放电空间内的分布比较密集,电能时空分布比较均匀,LP1846液雾点火效果较好.喷雾场流速、液雾细度与周向放电火花能量分布存在一个最佳匹配关系.
关键词:
液体推进剂
,
喷雾
,
电点火
,
瞬态测量
宁成云
,
刘绪建
,
郑华德
,
谭帼馨
,
马强
,
王玉强
稀有金属材料与工程
采用浸渍法将NaOH碱处理后的钛片浸入硅烷溶液中进行表面改性,可制备致密硅烷膜.利用SEM、FTIR、EDS、表面接触角分析仪等研究硅烷膜的表面形貌与结构特征.结果表明:不同浓度的硅烷溶液对硅烷膜的表面形貌、表面接触角以及表面基团的组成有较大影响;将钛片浸入浓度33%的硅烷水解溶液中,所制备的硅烷膜较完整,由许多呈脑浆状的小片构成,排列紧密,含有硅醇Si-OH和Si-O-Si网络结构,其表面接触角为71.8°
关键词:
硅烷偶联剂KH-550
,
钛片
,
表面改性
,
硅烷膜
宁成云
,
李丹
,
郑华德
,
谭帼馨
,
王玉强
,
马强
稀有金属材料与工程
采用阳极氧化技术在纯Ti表面制备出有序的TiO2纳米管阵列,并通过SEM,XRD,XPS对TiO2纳米管阵列进行表征.结果表明,阳极氧化时间对纳米管的形成有较大的影响.在外加电压为20 V,阳极氧化时间为20 min时,可制备出长度约480 nm、内径约89.90 nm、壁厚约7.4 nm的TiO2纳米管阵列.经450 ℃热处理后,可得到锐钛矿型的TiO2纳米管阵列,钛元素以Ti4+氧化态处于八面体的环境中,Ti 2p3/2的结合能为459.3 eV.
关键词:
二氧化钛纳米管阵列
,
阳极氧化
,
锐钛矿
,
金红石
李曼
,
刘保亭
,
王玉强
,
王宽冒
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00257
采用反应脉冲激光沉积方法(PLD)分别在n-Si(100)和Pt/Ti/SiO2/Si(111)衬底上生长了Ni-Al-O栅介质薄膜,将样品在不同温度下进行快速退火处理. 通过XRD和AFM对其结构和表面形貌进行了表征,利用LCR表和Keithley表对其介电性能和漏电流进行了研究.结果表明, 样品经过750 ℃退火后仍然保持非晶状态,且样品的表面平整, 均方根粗糙度小于0.5nm. 在1 MHz测试频率下, 由Pt/Ni-Al-O/Pt电容器测得的介电常数为9.9.MOS电容器的电学测试显示, 700 oC ℃以上退火的样品有较高的电容值,较低的漏电流密度. 研究表明,Ni-Al-O薄膜将会是一种很有潜力的新型高k栅介质材料.
关键词:
高k栅介质
,
Ni-Al-O thin film
,
reactive pulsed laser deposition
李曼
,
刘保亭
,
王玉强
,
王宽冒
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00257
采用反应脉冲激光沉积方法(PLD)分别在n-Si(100)和Pt/Ti/SiO2/Si(111)衬底上生长了Ni-Al-O栅介质薄膜,将样品在不同温度下进行快速退火处理.通过XRD和AFM对其结构和表面形貌进行了表征,利用LCR表和Keithley表对其介电性能和漏电流进行了研究.结果表明,样品经过750℃退火后仍然保持非晶状态,且样品的表面平整,均方根粗糙度小于0.5 nm.在1 MHz测试频率下,由Pt/Ni-Al-O/Pt电容器测得的介电常数为9.9.MOS电容器的电学测试显示,700℃以上退火的样品有较高的电容值,较低的漏电流密度.研究表明,Ni-A1-O薄膜是一种有潜力的新型高k栅介质材料.
关键词:
高k栅介质
,
Ni-Al-O薄膜
,
反应脉冲激光沉积
