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高质量GaN薄膜生长工艺的研究进展

梁李敏 , 刘彩池 , 解新建 , 王清周

材料导报

概述了GaN异质外延生长中衬底的选择以及缺陷的形成机理,从缓冲层技术、横向外延技术、柔性衬底技术等生长工艺方面综述了国内外GaN基半导体薄膜生长的最新研究和进展,并对其优缺点进行了分析比较,认为发展同质外延将有希望解决现在异质外延生长中存在的问题,最后展望了GaN基薄膜同质外延生长的前景.

关键词: GaN , 缺陷 , 异质外延 , 横向外延 , 缓冲层 , 柔性衬底

烧结-脱溶法制备多孔CuAlMn形状记忆合金

李诺 , 王清周 , 崔春翔 , 梁李敏 , 王倩

功能材料

首次利用烧结-脱溶法以NaCl颗粒为造孔剂成功制备出了多孔CuAlMn形状记忆合金,并对其进行了物相分析,宏、微观形貌观察及马氏体相变行为的研究。结果表明所得多孔CuAlMn形状记忆合金中孔洞分布均匀,且相互连通。材料的弯曲断口表现出一定韧性断裂特征,且可以看出合金粉末颗粒间结合呈冶金结合,无单独、分离的合金粉末颗粒存在,说明多孔合金的烧结质量较高。热处理后的合金组织为全马氏体相,DSC曲线上出现明显的吸、放热峰,表明其马氏体相变行为良好。

关键词: 多孔形状记忆合金 , 烧结-脱溶 , NaCl , 马氏体相变

淬火温度对铜铝锰形状记忆合金两个内耗峰的影响

孙蔚 , 王强 , 王清周 , 韩福生

机械工程材料 doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2006.09.007

利用倒扭摆内耗仪研究了淬火温度对Cu-11.9Al-2.5Mn形状记忆合金升温过程中两个内耗峰的影响.结果表明:高温峰源于逆马氏体相变,低温峰则由孪晶畴的细化所引起.低温峰在淬火温度为700℃时有一最小值之后随淬火温度的升高而升高,因为在较高温度淬火可产生较大尺寸的孪晶,从而有利于孪晶畴界的移动.高温峰开始随温度升高而增大,在700℃淬火时达到最高值,淬火温度更高时反而降低,这与高温淬火引入的缺陷密度有关.

关键词: 内耗 , 形状记忆合金 , 马氏体相变

ZnOp/Cu复合材料的制备工艺与物理性能的研究

王军红 , 崔春翔 , 王清周 , 刘福才 , 胡宇鹏 , 李忠会

稀有金属材料与工程

采用粉末冶金法制备含不同质量分数ZnO的铜基复合材料,并对材料的密度、硬度和电导率进行考察.结果表明,与相同工艺制备的紫铜相比,复合材料的硬度有很大程度的提高,而电导率降低不明显.随着ZnO质量分数的增加,材料的密度和电导率都呈下降趋势,而硬度先增大后减小.当ZnO含量为10%时,复合材料具有最好的综合性能,密度达98%以上,HV硬度、电导率分别达980 MPa和41.5 MS/m.

关键词: 高强高导电 , 铜基复合材料 , 粉末冶金

以NaCl为造孔剂制备开孔多孔铜的孔隙形貌及压缩性能

王清周 , 李诺 , 王倩 , 吴爱忠 , 崔春翔

机械工程材料

以NaCl颗粒为造孔剂,采用烧结-脱溶法制备了开孔多孔铜,对其孔隙及压缩性能进行了研究.结果表明:所得多孔铜的孔隙多为三维贯通开孔网络结构,孔的形貌与大小均与NaCl颗粒相似;其弯曲断口呈现典型的韧性断裂特征;其压缩应力-应变曲线分为明显的弹性区、平台区及致密化区3个区域,压缩变形遵循逐层坍塌的机制,具有较好的压缩吸能特性.

关键词: 开孔多孔铜 , 烧结-脱溶 , NaCl , 压缩性能

Cu包覆纳米Al2O3复合粉体的化学镀法制备

陆东梅 , 王清周 , 赵立臣 , 杨瑞霞

稀有金属材料与工程

纳米Al2O3的力学性能优异,是一种理想的Cu基纳米复合材料的增强体,然而其与Cu基体的润湿性较差.为了改善其与Cu基体的润湿性,增强界面的结合力,通过化学镀工艺在其表面镀Cu,并采用SEM、TEM、XRD和EDS系统研究了镀液中络合剂及还原剂类型、镀液温度及施镀条件等重要因素对化学镀过程、镀膜质量的影响,进而优化了施镀工艺,获得了粒径均一、分散良好的Cu包覆纳米Al2O3复合粉体,为Al2O3/Cu纳米复合材料的制备打下了良好的基础.

关键词: 化学镀Cu , 纳米Al2O3 , 双络合剂 , 还原剂 , 施镀条件

Cu基电触头用掺杂SnO2纳米粉体的制备

王清周 , 陆东梅 , 崔春翔 , 徐萌

稀有金属材料与工程

利用溶胶-凝胶工艺制备了Cu基电触头用TiO2掺杂SnO2纳米粉.实验时,首先采用TG-DSC方法对掺杂SnO2前驱体在升温过程中的转变过程进行了分析,然后采用XRD对不同温度焙烧所得掺杂SnO2粉体进行了物相分析、颗粒粒径计算,采用TEM对掺杂SnO2粉体的微观形貌进行了观察,最后通过分析掺杂SnO2粉体晶格参数d值的变化对粉体的掺杂效果进行了评估.结果表明:通过所述工艺成功实现了TiO2对纳米SnO2的掺杂,500℃焙烧所得掺杂SnO2为圆球形,粒径约为10 nm,较好地满足Cu基电触头材料使用的需求.

关键词: Cu基电触头 , SnO2 , 掺杂 , 溶胶-凝胶

掺杂纳米SnO2-Al2O3/Cu新型电触头复合材料的制备及耐磨性能

陆东梅 , 杨瑞霞 , 王清周

复合材料学报 doi:10.13801/j.cnki.fhclxb.20160129.003

为满足低压电器对于高品质电触头材料的迫切需求,同时保护稀缺资源、降低电触头成本,采用粉末冶金工艺制备了掺杂纳米SnO2-Al2O3/Cu新型电触头复合材料,并对其电导率、硬度及耐磨性能进行了研究.结果表明:复烧与冷变形工艺均可显著提高复合材料的烧结质量、密度、电导率与硬度.随着纳米Al2 O3及掺杂纳米SnO2颗粒的总含量增加,掺杂纳米SnO2-Al2 O3/Cu电触头复合材料的硬度与耐磨性能表现出了相同的变化规律,即先升高后降低.当纳米Al2 O3及掺杂纳米SnO2颗粒的总含量为0.80wt%时,复合材料的硬度与耐磨性能均达到最优;而当纳米Al2O3及掺杂纳米SnO2颗粒的总含量保持0.80wt%不变时,随纳米A12 O3颗粒的含量增加,掺杂纳米SnO2-Al2O3/Cu电触头复合材料的硬度与耐磨性能改善;当掺杂纳米SnO2颗粒的含量为0时,复合材料的耐磨性能达到了最优.因此较之掺杂纳米SnO2颗粒,纳米Al2 O3颗粒对掺杂纳米SnO2-Al2O3/Cu电触头复合材料的耐磨性能有更显著的提高作用.

关键词: 复合材料 , 电触头 , 粉末冶金 , 微观形貌 , 力学测试 , 耐磨性能

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