逄茂林
,
林君
,
于敏
,
周永慧
,
韩秀梅
,
王淑彬
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2002.05.010
与传统的发光粉制作的显示屏相比,发光薄膜在对比度、分辨率、热传导、均匀性、与基底的附着性、释气速率等方面都显示出较强的优越性.因此,作为功能材料,发光薄膜在诸如阴极射线管(CRTs)、电致发光显示(ELDs)及场发射显示(FEDs)等平板显示领域中有着广阔的应用前景.发光薄膜的制备方法有许多种,包括溅射法、金属有机物化学汽相沉积法、溶胶-凝胶法、脉冲激光沉积法、喷雾热解法、蒸镀法等.本文系统地对这些发光薄膜的制备方法及其应用情况作以简单的介绍,最后对发光薄膜的发展趋势进行了展望.
关键词:
发光薄膜
,
制备方法
,
应用
王静
,
苏锵
,
王淑彬
功能材料
研究了碱金属及碱土金属离子掺杂的荧光体Y2O3:Eu3+0.05,A+0.02(A=Li、Na、K)和Y2O3:Eu3+0.05,B2+0.02(B=Mg、Ca、Sr、Ba)的荧光、余辉发光及热释光特性.余辉光谱数据表明:杂质离子掺杂的荧光体Y 2O3:Eu3+的余辉发射主峰与未掺杂荧光体Y2O3:Eu3+的荧光发射主峰(611nm)一致,为经典Eu3+的5D0-7F2电偶极跃迁;杂质离子的引入明显地延缓了Y2O3:Eu3+的余辉衰减,其中Y2O3:Eu3+,A+(A=Li、Na、K)的余辉衰减趋势几乎完全一致,而Y2O3:Eu3+、B2+(B=Mg、Ca、Sr、Ba)的余辉衰减趋势由慢到快依次为Ca、Sr、Ba、Mg.热释光谱数据显示,杂质离子的掺杂导致基质中电子陷阱能级的生成,这是导致余辉衰减减慢的直接原因.Y2O3:Eu3+,A+的热释峰都位于175℃左右,相应电子陷阱能级深度为0.966eV左右;而Y2O3:Eu3+,B2+的热释峰由高到低分别位于192℃(Ca)、164℃(Sr)、135℃(Ba)、118℃(Mg),电子陷阱能级深度分别为1.003eV(Ca)、0.942eV(Sr)、0.880eV(Ba)、0.843eV(Mg).结合余辉衰减数据,可以看到,Y2O3:Eu3+,A+和Y2O3:Eu3+,B2+的热释光谱与相应荧光体的余辉衰减趋势吻合得十分好,由此可以得出,一定相同的条件下,热释峰值温度越高,杂质陷阱能级越深,相应荧光体的余辉衰减越慢.
关键词:
碱金属和碱土金属离子
,
余辉
,
热释发光
,
Y2O3:Eu3+
