王海成
,
张雪
,
周洁
,
姚易
,
吴瑞伟
,
邓玲
,
闫智然
,
曹进
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.05.021
采用前驱体分解法制备了 Cu-In-S 量子点,研究了制备工艺对Cu-In-S 量子点的形貌以及光学性能的影响.实验结果表明,反应时间和反应温度可影响Cu-In-S 纳米颗粒的尺寸和光学性能.随时间增加,Cu-In-S粒径变大,同时会伴随着棒状晶体的出现,荧光发射谱的峰位发生红移.随反应温度升高,纳米晶的形核速率和长大速率增加,并且粒径也有增大,纳米晶的形状可以由单一的球形变为球形与棒状的混合,荧光谱峰位亦会发生红移.X 射线光电子能谱分析表明,所制备颗粒为 CuInS2纳米晶.为进一步制备无毒量子点发光器件(QLEDs)奠定了基础.
关键词:
CuInS
,
量子点
,
化学合成
,
PL 光谱
,
QLEDs
张恩
,
冯春
,
李宁
,
王海成
,
滕蛟
,
王立锦
,
于广华
功能材料
利用磁控溅射方法,在加热的单晶MgO(100)基片上制备了以AlN为母体的FePt薄膜,再经过真空热处理后,得到了具有垂直磁各向异性且无磁交换耦合作用的FePt薄膜;同时,研究了掺杂AlN含量、薄膜的厚度及退火温度对薄膜的磁性能的影响.结果表明,非磁性相AlN的添加能够降低磁交换耦合作用,但同时也会破坏薄膜的垂直磁各向异性.降低薄膜厚度,有利于改善薄膜的垂直磁各向异性,FePt-AlN薄膜的厚度为6nm且掺杂AlN含量达到40%时,经650℃热处理1h后薄膜具有良好垂直磁各向异性、适中矫顽力且无磁交换耦合作用.
关键词:
磁记录介质
,
垂直磁各向异性
,
磁交换耦合作用
王海成
,
杜中美
,
王立锦
,
滕蛟
,
李明华
,
于广华
功能材料
采用化学镀工艺制备了Co-P磁记录薄膜,研究了非晶无磁Ni-P底层对Co-P薄膜的生长及性能的影响.研究结果表明:非晶无磁Ni-P底层对Co-P薄膜的晶体结构及取向无明显影响,镀态的Co-P薄膜均为密排六方结构, (100)、(002)、(101)的择优取向无明显变化;但非晶无磁的Ni-P底层可以提高薄膜的均匀性和一致性,表面无明显缺陷;细化晶粒,平均晶粒尺寸为100～150nm;提高Co-P薄膜的磁性能,矫顽力可达4.54×104A/m.当记录信号脉冲时,与铝基体上直接施镀相比,在Ni-P底层上的Co-P磁记录薄膜输出信号幅值均匀稳定,信噪比良好.
关键词:
化学镀
,
Co-P
,
磁记录薄膜
,
Ni-P
王海成
,
杜中美
,
王立锦
,
于广华
,
朱逢吾
功能材料
采用化学镀法制备了Co-P磁记录薄膜.当薄膜厚度为0.3μm时,矫顽力可达4.54×104A/m,剩余磁化强度为0.068T.X射线衍射分析表明,当Co-P薄膜较薄时,薄膜结构中无明显择优取向,晶粒较小,此时矫顽力较高;当厚度增加至3～4μm以上时,结构中择优取向明显,晶粒较大,此时薄膜的矫顽力较低.将其应用于磁旋转编码器的磁鼓记录介质,制成直径φ40mm的磁鼓,当原始充磁磁极对数为512时,脉冲计数完整,输出信号强,波形稳定.
关键词:
化学镀
,
磁鼓
,
Co-P薄膜
,
磁记录介质
王海成
,
龚占双
,
吴兰鹰
,
王立锦
功能材料
利用化学液相反应在Cu合金悬丝基体上进行了化学镀银,研究了镀层的成分以及主盐浓度、反应时间对镀银悬丝导电性能的影响.随着硝酸银、葡萄糖浓度的增加,镀银悬丝的电阻率均表现为先降低,后升高;随反应时间增加,Ag层厚度增加,电阻率降低.当硝酸银浓度为30g/L、葡萄糖浓度为40g/L,反应时间为20min时,镀Ag层厚度为1.3μm,电阻率为7.0×10-6(Ω·cm);导电性比镀银前提高了20%.FE-SEM、EDS能谱对镀层的形貌、成分及厚度研究表明,镀层为纯金属Ag,无氧化物存在,Ag层与铜合金基体结合力良好,无裂纹、脱落等缺陷.该方法制得的镀Ag悬丝材料适合于高密度光盘读取头力矩器的使用要求.
关键词:
光盘读取头
,
合金悬丝
,
镀银
,
化学反应
,
电阻率
