李玲霞
,
吴霞宛
,
张志萍
,
王洪儒
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2001.06.004
选用低介电常数的无机介质材料ZnO-B2O 3-SiO2三元系统,进行了XRD和介电性能定量关系的研究,系统的主、次晶相为SiO 2、Zn2SiO4相.调整各组分,获得了超低介电常数的介质陶瓷,其介电性能为:ε≈5,tgδ≤5×10-4,αc≤0±30ppm/℃,IR≥1012Ω,烧结温度为1140℃.通过对系统所进行的X-射线衍射分析,探讨了用X-射线衍射峰强度计算各物相含量的方法,并代入李赫德涅凯对数混合定则,计算出系统的介电性能,从而获得了一种设计无机材料系统介电性能的新方法.
关键词:
ZnO-B2O3-SiO2系统
,
超低介电
,
常数
,
X-射线衍射分析
,
衍射峰强度
,
设计材料介电性能
郭秀盈
,
肖谧
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王洪儒
,
吴霞宛
,
张之圣
无机材料学报
以不同固相合成工艺制备了Ag(Nb0.8Ta0.2)O3粉末, 并对其压片烧结后样品的XRD和SEM图进行了分析, 对成瓷性较好的样品的介电性能进行了测试. 结果表明: 不同工艺均可合成具有钙钛矿结构的Ag(Nb0.8Ta0.2)O3(ANT)样品, 但对样品成瓷性影响很大. 通过先将Nb2O5、Ta2O5在1200℃煅烧, 然后再同Ag2O反应生成Ag(Nb0.8Ta0.2)O3的合成工艺, ?在较低的烧结温度下, 就可烧制成粒径均匀、致密的陶瓷, 相比其他工艺合成?的样品, 其介电常数(ε)得到了提高, 介电损耗(tanδ)变小, 为最佳合成工艺.
关键词:
钽铌酸银
,
solid-state reaction methods
,
dielectric properties
谢磊
,
吴霞宛
,
王洪儒
,
董向红
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.1999.01.002
研究了工艺对BaTiO3基、中温烧结的高介高稳定MLC介质系统电性能的影响.随着BaTiO3合成温度的提高,系统介电系数先升后降,介电系数的变化率一直呈上升趋势,过烧时,瓷料系统的ε-T曲线会成单峰,采用硬度高的锆球作磨球,有助于提高瓷料的介电系数,降低介电系数的变化率.
关键词:
中温烧结
,
高介高稳定
,
MLC介质
,
工艺
朱征
,
吴霞宛
,
王洪儒
,
李玲霞
,
袁廷志
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2002.06.020
以BaO-Nd2O3-TiO2为主要研究体系,以Bi2O3,PbO为添加剂,研究了系统的成分配比和工艺对瓷料的介电性能的影响,成功研制出了性能优良的高频、高Q的MLC陶瓷材料.研究结果表明,当BaO:Nd2O3:TiO2的摩尔比为1:1:5时,可在中温范围内(≈1160℃)制成介电常数ε≈98, 介电损耗tg δ≈1.3×10-4(Q≈8000), 电容量的温度系数αc≈30ppm/℃,绝缘电阻IR>1013Ω的高频、高Q的MLC陶瓷材料;当BaO:Nd2O3:TiO2的摩尔比为1:1:4.5时,可在较高温度范围内(≈1200℃)制成介电常数ε≈93,介电损耗tg δ≈0.8×10-4(Q≈10000),电容量的温度系数αc≈10ppm/℃,绝缘电阻IR>1013Ω的高频、高Q的MLC陶瓷材料.
关键词:
BaO-Nd2O3-TiO2系统 高频 高Q MLC材料
朱浩波
,
李玲霞
,
吴霞宛
,
王洪儒
,
张志萍
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2004.03.027
研究了稀土元素Er2O3掺杂对细晶BaTiO3系统介电及耐压性能的影响.其在BaTiO3晶粒中可抑制晶粒生长,使尺寸变小,体密度增高,呈现细晶效应,ε峰在整个温区范围内弥散,提高室温下介电常数,减小容量变化率.ZnO的加入使瓷料形成致密的细晶结构,有效地阻止了晶粒过度长大,改善了微观结构,减小了因气孔而造成的击穿,提高了耐压强度.
关键词:
稀土元素
,
细晶效应
,
耐压
李玲霞
,
郭炜
,
吴霞宛
,
王洪儒
,
张志萍
无机材料学报
利用柠檬酸盐法制备了(Ag1-xNax)(Nb1-xTax)O3(简称ANNT)纳米粉体材料,通过TEM分析可观察到其颗粒度<50nm,且团聚较小.论文对柠檬酸盐法的反应机理进行了深入地探讨,分析了不同烧结温度下的显微结构变化,证实ANNT系统可在1040-1060℃范围内致密化.XRD分析结果表明系统中所生成的主晶相为ANNT.
关键词:
柠檬酸盐法
,
（Ag1-xNax）（Nb1-xTax）O3
,
nanomaterials
李玲霞
,
郭炜
,
吴霞宛
,
王洪儒
,
张志萍
,
余昊明
稀有金属材料与工程
利用先驱体NiNb2O6与MnNb2O6掺杂法改性BaTiO3系统.由于2种先驱体可以有效地起到展宽与移峰效应,使系统居里峰在室温附近取得最大值,在1 290℃烧结时介电常数达到5 000以上,容量变化率△C/C≤±15%;在系统中加入适量助熔剂可以实现中温烧结(1 150℃),介电常数大于3 600,容量变化率△dC≤±12%,满足X7R特性要求,可用于厚膜EMI滤波介质瓷料的制备.
关键词:
先驱体
,
NiNb2O6
,
MnNb2O6
,
EMI
,
滤波
李玲霞
,
郭炜
,
吴霞宛
,
王洪儒
,
张志萍
,
余昊明
无机材料学报
Ag2O-Nb2O5-Ta2O5陶瓷系统(简称ANT)是一种新型的高频高介陶瓷材料,可以在1150℃以下进行中温烧结。在本系统中,添加Na+离子置换ANT系统中的A位Ag+离子形成ANNT系统,通过XRD,SEM以及能谱分析发现,少量Na+添加,导致晶格参数下降,即八面体空隙的体积将减小,从而抑制了Nb5+的松弛极化,有效地降低了ANT系统的损耗因子,使系统的介电性能达到:ε>500, tgδ≤5×10-4,容量温度系数αc=+12ppm/℃,ρv>1012Ω·cm。
关键词:
高频高介
,
ANT
,
relaxation polarization
,
dissipation factor
