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三温区坩埚下降法生长Cd1-x Znx Te单晶体

邱春丽 , 赵北君 , 朱世富 , 王智贤 , 李新磊 , 何知宇 , 陈宝军 , 唐世红

功能材料

CdZnTe晶体是一种性能优畀的室温核辐射探测器材料.在熔体法生长CdZnTe晶体的过程中,生长炉的内部温场分布对获得的晶体结构和性能有很大影响.根据CdZnTe晶体的生长习性,设计了三温区单晶炉,用坩埚下降法生长出CdZnTe单晶体.通过X射线衍射、红外透过率、I-V测试等分析研究,得到了红外透过率约为61%,腐蚀蚀坑密度(EPD)为104 cm-2,电阻率为109~1010 Ω·cm的Cd0.9 Zn0.1 Te单晶体.表明三温区坩埚下降法生长的单晶体结晶质量好、成分分布均匀、EPD低、红外透过性能好且电阻率高.

关键词: CdZnTe , 单晶生长 , 坩埚下降法 , 三温区

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