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InP量子点的掺杂及其光学性能

杨锁龙 , 王晓方 , 蒋春丽 , 赵雅文 , 曾荣光 , 王怀胜 , 赖新春

无机材料学报 doi:10.15541/jim20160212

采用原位成核掺杂法合成了Li、Zn金属离子掺杂的InP量子点(分别记为Li∶ InP和Zn∶ InP),并研究了掺杂剂对量子点的结构、尺寸和光学性能的影响.研究结果表明,Li+、Zn2+掺杂的InP量子点结晶度较高且尺寸均匀.虽然Li+掺杂未引起InP量子点的结构发生变化,Li+未进入InP晶格,但是抑制了InP量子点的成核与长大,使其吸收谱和荧光谱均发生大幅度的蓝移.Zn掺杂同样也抑制InP量子点的成核与长大,并且形成InP/Zn3P2/ZnO复合核壳结构,显著增强了InP量子点的荧光,尤其是当Zn掺杂浓度(Zn/In原子比)为0.2时,InP量子点的荧光强度增加近100多倍,这对短波长InP量子点的合成具有一定的参考价值.

关键词: 磷化铟 , 量子点 , 掺杂 , 光学性能

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