林广庆
,
李鹏
,
王明晖
,
冯翔
,
张俊
,
熊贤风
,
邱龙臻
,
吕国强
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132804.0490
应用聚苯乙烯/氯硅烷复合材料作为栅绝缘层的界面修饰层制备了高性能的并五苯场效应晶体管.原子力显微镜观察发现,界面修饰对并五苯半导体薄膜的生长形貌产生了很大影响.在空白二氧化硅上沉积的并五苯晶粒尺寸都小于150 nm,而在修饰过后二氧化硅的表面生长的并五苯晶粒尺寸多在200～400nm.大的晶粒尺寸能够减小晶粒间的界面,从而有效提高电学性能.表面改性的并五苯场效应晶体管的关态电流约为10-10 A,电流的开关比超过10 6,最大场效应迁移率约可达1.23 cm2·V-1·s-1,而未处理的晶体管的场效应迁移率仅有0.011 8 cm2·V-1·s-1.
关键词:
有机薄膜晶体管
,
二氧化硅表面修饰
,
电性能
王明晖
,
宗艳凤
,
史高飞
,
胡俊涛
,
吕国强
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132806.0823
为改善聚二氧乙基噻吩∶聚对苯乙烯磺酸(PEDOT∶ PSS)薄膜的光电性能,采用共混-旋涂法在玻璃基片上分别制备出经丙三醇、山梨醇、二甲基亚砜(DMSO)掺杂的PEDOT∶ PSS透明导电膜.利用X射线衍射仪(XRD),扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM),紫外可见分光光度计及四点探针法对薄膜的微结构与性能进行了研究.实验结果表明:不同掺杂剂的加入均未改变PEDOT∶ PSS薄膜的聚集态结构,而薄膜的表面形貌出现了明显的不同;掺杂后薄膜电导率和透光率均有明显提高,并且经退火后电导率随着退火温度的升高而增加;在相同的掺杂浓度下,掺杂山梨醇的PEDOT∶ PSS薄膜表现出最好的电导率和透光率.
关键词:
聚二氧乙基噻吩∶聚对苯乙烯磺酸
,
掺杂
,
薄膜
,
微结构
,
性能
