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二次电子成分衬度成像方法在异质结半导体材料和器件的微结构研究中的应用

刘安生 , 邵贝羚 , 安生 , 王敬 , 刘峥 , 徐军 , 王瑞忠 , 钱佩信

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1998.06.001

阐述了高分辨二次电子成分衬度像的成像原理、成像条件和实验方法, 介绍了一种新的试样制备方法, 讨论了各种制样方法的特点. 以多层P+-Si1-xGex/p-Si异质结内光发射红外探测器为例, 介绍了二次电子成分衬度像观察技术在异质结半导体材料和器件微结构研究中的应用. 将这种技术与通常的透射电子衍射衬度方法进行了比较, 讨论了它在异质结半导体材料和器件中的应用前景.

关键词: 二次电子成分衬度像 , 异质结半导体材料和器件 , 电子显微术 , 微结构

铋系银包套高温超导多芯带材的显微组织结构

孙丽虹 , 刘安生 , 邵贝羚 , 李永洪 , 王敬 , 张希顺 , 李远松

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2000.01.014

采用粉末装管法制备了M27(27芯),M19(19芯)六种铋系银包套高温超导多芯带材,利用标准四引线法测量其电学性能临界温度(Tc)和临界电流密度(Jc),利用高分辨电子显微镜,配有能谱仪的透射电子显微镜和扫描电子显微镜研究其显微组织结构.超导多芯带材的相组成以2223相为主,可以观察到少量的2212相,且与2223相共生.在超导相晶粒之间和三叉晶界存在非晶层.超导相界面、超导相和银包套界面较为平直,超导相和银包套界面夹角为5°.超导相的晶粒具有一定的织构,晶粒的ab面大致平行于带材的带长方向,c轴大致垂直于轧面.扫描电子显微镜观察表明国外超导带材的晶粒较国内大而明显.在样品中存在CuO、SrO和CaO杂相.一些杂相在超导相的周围沿晶界分布,一些杂相独立存在.

关键词: BSCCO超导多芯带材 , 组织结构 , 超导相 , 杂相

300 mm 硅单晶的缩颈生长及应力分析

程景柏 , 屠海令 , 周旗钢 , 王敬 , 常青 , 张果虎 , 方锋

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2001.04.006

对不同直径颈部晶体进行了拉伸实验及断口形貌观察,颈部晶体的断裂属于脆性断裂,增大晶体颈部直径可以增大其承受拉力,从而可以制得更大重量的单晶.缩颈生长工艺条件会对颈部晶体的抗拉强度产生影响.讨论了颈部晶体的断裂机制.

关键词: 300 mm 硅单晶 缩颈 脆性断裂 抗拉强度

注氢硅中微结构缺陷的TEM观察

肖清华 , 王敬 , 屠海令 , 周旗钢 , 刘斌

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2003.03.001

通过透射电子显微镜观察到注氢硅片中存在损伤带, 损伤带的位置和注入氢的分布几乎一致, 推断损伤带是由于氢的注入引起的. 损伤带内主要以平行于正表面的{111}面状缺陷为主, 另外还有斜交于正表面的{111}面状缺陷以及{100}面状缺陷, 这是由于氢朝能量低的位置的迁移聚集而形成的. 在损伤带的中间还可见到晶格紊乱团块和空洞, 这是由于损伤带中间存在高浓度的氢和高密度的面状缺陷而导致形成的.

关键词: , , 离子注入 , TEM , 微缺陷

过充电对MH-Ni电池电化学性能的影响

李丽 , 吴锋 , 杨凯 , 王敬 , 陈实

材料导报

检测并比较了不同过充电电流对AA型MH-Ni电池电化学性能的影响,实验结果表明,电池按国标以0.4C充至标称容量后,继续以0.4C过充,电池内压继续呈缓慢上升,其升高速度在电池容量达到2000mAh之前基本不变;当以1C过充时,电池内压上升速度明显加快;当以0.1C过充时,电池内压的升高速度下降,在电池容量达到1 600mAh之后,其速度变化趋于平稳.不同电流的过充电,对电池循环表退速度和电池放电电压下降速度的影响与电池内压升高速度的变化成正比.

关键词: MH-Ni电池 , 过充电 , 内压

SOI键合材料的TEM研究

王敬 , 屠海令 , 刘安生 , 周旗钢 , 朱悟新 , 张椿

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1998.04.008

用横断面透射电子显微术 (TEM) 研究了用键合方法获得的SOI材料的界面结构.绝缘层二氧化硅和硅膜的厚度非常均匀, Si膜/SiO2以及SiO2/Si基体的界面平直且结合紧密,在界面上没有观察到缺陷和孔洞.

关键词: 硅片键合 , SOI , 界面 , 微结构

数值模拟自然对流对直拉单晶硅的影响

宇慧平 , 隋允康 , 王敬 , 安国平

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.04.006

在直拉单晶硅生长的过程中,自然对流对晶体界面的形状、温度场及应力分布影响很大.本文采用二维模型对熔体内自然对流对单晶硅的影响作了数值模拟,在低雷诺数时采用层流模型,高雷诺数时采用紊流模型,Gr的变化范围从3×106到3×1010,这样涵盖了从小尺寸到大尺寸的直拉单晶硅生长系统.数值结果表明熔体的流动状态不仅与熔体的Gr有关,还与熔体高度和坩埚半径的比值密切相关.当Gr>108时,熔体内确实存在紊流现象,层流模型不再适合, 随着Gr的增大,紊流现象加剧,轴心处的等温线变得更为陡峭,不利于晶体生长.

关键词: 直拉单晶硅 , 自然对流 , 数值模拟

硅片的直接键合

王敬 , 屠海令 , 刘安生 , 张椿 , 周旗钢 , 朱悟新

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1998.05.013

介绍了硅片的直接键合工艺、键合机理、键合质量评价方法以及键合技术目前的研究和应用状况等.

关键词: 硅片 , 硅片键合 , 直接键合

金属基体上YSZ过渡层及YBCO薄膜结构与沉积条件的关系

王敬 , 刘安生 , 石东奇 , 王晓华 , 邵贝羚 , 袁冠森

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1998.01.009

研究了两种在金属基体 (Hastelloy-C) 上沉积的、以钇稳定的ZrO2 (YSZ) 为过渡层的YBa2Cu3O7-y薄膜结构, 并讨论了结构与沉积条件的关系. 当沉积速率低时, YSZ层致密、均匀, 存在织构取向, 且与基体连接良好; 而高速率沉积的YSZ层疏松, 与基体结合差. YBCO薄膜的结构和性能与沉积时的基体温度相关.

关键词: YBCO薄膜 , YSZ过渡层 , 微结构 , 金属基体

双面抛光工艺中压力对300 mm硅片表面形貌的影响

库黎明 , 李耀东 , 周旗钢 , 王敬

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2006.02.002

利用非接触式光学轮廓仪研究了双面抛光过程中不同压力下300mm硅片表面形貌的变化,并通过Stribeck曲线进行了探讨.结果表明,双面抛光过程中机械作用的强度随着压力的变化而不同,从而影响抛光后的硅片表面形貌.当硅片表面与抛光垫之间的接触处于固-液混合接触区时,协调机械去除作用与化学腐蚀作用之间的关系,使之达到平衡,可以显著地降低硅片表面的微粗糙度和峰谷值.

关键词: 硅片 , 双面抛光 , 非接触式光学轮廓仪 , 表面形貌

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